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Tensión inversa: 650 V
... conmutar a alta velocidad. CARACTERÍSTICAS: Menor tiempo de recuperación Menor dependencia de la temperatura Posibilidad de conmutación a alta velocidad Alta capacidad de sobrecorriente ...
ROHM Semiconductor
Tensión inversa: 600 V
... Descripción Los diodos Qspeed™ tienen el QRR más bajo de todos los diodos de silicio. Sus características de recuperación aumentan la eficiencia, reducen la EMI y eliminan los amortiguadores. Aspectos destacados del ...
Power Integrations
Diodes Incorporated
Tensión inversa: 70 V
... El CMDD6263 de CENTRAL SEMICONDUCTOR es un diodo Schottky de silicio de alta tensión y bajo VF en un encapsulado de montaje superficial, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida que requieren una baja caída de ...
Central Semiconductor
Tensión directa: 1 V - 2,5 V
Tensión inversa: 75 V - 100 V
Tensión directa: 10 V - 45 V
Tensión inversa: 8 kV - 15 kV
... ※Features: Características de conmutación de alta velocidad, TRR 50-150ns. Baja fuga, resistente a la sobrecarga, resistente a los golpes. Grandes características de protección contra averías de tensión de avalancha. ...
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
... Características La familia de diodos Schottky MiniPak HMPS-282x es el dispositivo más consistente y completo disponible, y encuentra aplicaciones en la mezcla, detección, conmutación, muestreo, sujeción y formación de ...
Broadcom
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