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Tensión inversa: 650 V
... Ámbito de aplicación - Corrección del factor de potencia / Inversores solares / Sistemas de alimentación ininterrumpida / Convertidores CC-CC Característica - Diseño de chip de 2ª generación Número de circuitos - 1 Conexión interna - ...
Tensión inversa: 600 V
... Descripción Los diodos Qspeed™ tienen el QRR más bajo de todos los diodos de silicio. Sus características de recuperación aumentan la eficiencia, reducen la EMI y eliminan los amortiguadores. Aspectos ...
Power Integrations
Tensión inversa: 650 V
... conmutar a alta velocidad. CARACTERÍSTICAS: Menor tiempo de recuperación Menor dependencia de la temperatura Posibilidad de conmutación a alta velocidad Alta capacidad de sobrecorriente ...
ROHM Semiconductor
Tensión inversa: 70 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMDD6263 es un diodo Schottky de silicio de alto voltaje y baja FV en un paquete de montaje en superficie, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida que requieren ...
Central Semiconductor
Tensión directa: 1 V - 2,5 V
Tensión inversa: 75 V - 100 V
Tensión directa: 11 V - 22 V
Tensión inversa: 20 kV - 90 kV
... ※Features: Características de conmutación de alta velocidad, TRR 50-150ns. Baja fuga, resistente a la sobrecarga, resistente a los golpes. Grandes características de protección contra averías de tensión ...
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
... Características La familia de diodos Schottky MiniPak HMPS-282x es el dispositivo más consistente y completo disponible, y encuentra aplicaciones en la mezcla, detección, conmutación, muestreo, sujeción ...
Broadcom
Diodes Incorporated
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