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Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 800 A
Tensión: 1.200 V
... El NXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, ...
Fairchild Semiconductor
Corriente: 95 A
Tensión: 40 V
... El RH6G040BG es un MOSFET de potencia con baja resistencia de conexión y un paquete de alta potencia, adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Paquete de molde pequeño de alta potencia (HSMT8) Revestimiento ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 8 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor ...
STMicroelectronics
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... con un rendimiento de conmutación suave y un área de funcionamiento seguro (SOA) récord. Los nuevos módulos IGBT de potencia media y conmutación rápida 62Pak y LoPak presentan las pérdidas ...
Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V
... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo ...
Tensión: 50 V
... DESCRIPCIÓN: El semiconductor central CMKT3920 (dos transistores NPN simples) es una combinación dual en un espacio ahorrando el paquete SOT-363 ULTRAmini™, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación ...
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de ...
Diodes Incorporated
Corriente: 100 mA
Tensión: 60, 50 V
... Aplicaciones típicas Controles digitales Conmutación, procesamiento de señales Calidad comercial / industrial Sufijo -Q: Cumple AEC-Q101) Sufijo -AQ: en cumplimiento de AEC-Q101 x) Características Ahorro de costes ...
Diotec
... Características: - IGBT de compuerta con parada de campo - Clasificación de cortocircuito>10ps - - Baja tensión de saturación - Baja pérdida de conmutación - 100% RBSOA probado (2*lc) - Baja inductancia ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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