& encuentre a todos sus clientes en un solo lugar durante todo el año
Hacerse expositor
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... combinada con un rendimiento de conmutación suave y un área de operaciones segura que bate récords. Los nuevos módulos IGBT de media potencia y conmutación rápida 62Pak y LoPak ofrecen las pérdidas de ...
Tensión: 60 V
... Transistor NPN de silicio epitaxial Aplicaciones Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes. ...
Onsemi
Corriente: 8 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de ...
STMicroelectronics
Corriente: 95 A
Tensión: 40 V
... El RH6G040BG es un MOSFET de potencia con baja resistencia de conexión y un paquete de alta potencia, adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Paquete de molde pequeño de alta potencia (HSMT8) Revestimiento sin Pb; ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V
... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la ...
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...
Diodes Incorporated
Tensión: 50, 60, 7 V
... El CMKT3920 de Central Semiconductor (dos transistores NPN simples) es una combinación doble en un encapsulado SOT-363 ULTRAmini™ que ahorra espacio, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de propósito ...
Corriente: 100 mA
Tensión: 60, 50 V
... Aplicaciones típicas Controles digitales Conmutación, procesamiento de señales Calidad comercial / industrial Sufijo -Q: Cumple AEC-Q101) Sufijo -AQ: en cumplimiento de AEC-Q101 x) Características Ahorro de costes y espacio gracias ...
Diotec
... Características: - IGBT de compuerta con parada de campo - Clasificación de cortocircuito>10ps - - Baja tensión de saturación - Baja pérdida de conmutación - 100% RBSOA probado (2*lc) - Baja inductancia de dispersión - ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
& encuentre a todos sus clientes en un solo lugar durante todo el año
Hacerse expositora los mejores proveedores