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... Esta serie de diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) tiene una corriente de recuperación inversa despreciable, una alta capacidad de sobretensión y una temperatura de unión de funcionamiento ...
Tensión directa: 1,5 V - 3 V
Tensión inversa: 1.250, 600, 650 V
... Los diodos de recuperación rápida de Renesas ofrecen tiempos de recuperación rápidos para la rectificación en aplicaciones de muy alta frecuencia. ...
Tensión inversa: 650 V
... Menor tiempo de recuperación, lo que permite una conmutación de alta velocidad. CARACTERÍSTICAS: Menor dependencia de la temperatura Posibilidad de conmutación a alta velocidad Alta capacidad de corriente de choque ...
ROHM Semiconductor
Tensión inversa: 650 V
... Menor tiempo de recuperación, lo que permite una conmutación de alta velocidad. CARACTERÍSTICAS: Menor dependencia de la temperatura Posibilidad de conmutación a alta velocidad Alta capacidad de corriente de choque ...
ROHM Semiconductor
Tensión inversa: 650 V
... Menor tiempo de recuperación, lo que permite una conmutación de alta velocidad. CARACTERÍSTICAS: Menor dependencia de la temperatura Posibilidad de conmutación a alta velocidad Alta capacidad de corriente de choque ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 1,45 V - 2,2 V
Tensión inversa: 600 V - 1.200 V
... uso de diodos de carburo de silicio (SiC). ST propone una gama de 600 a 1200 V con diodos sencillos y dobles encapsulados en tamaños de encapsulado desde PowerFLATTM ...
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