Diodo Schottky STPSC10065
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diodo Schottky
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Características

Tecnología
Schottky
Montaje
estándar
Función
rectificador
Características eléctricas
de potencia, de alta tensión
Otras características
SiC
Tensión directa

Mín.: 1,45 V

Máx.: 2,2 V

Tensión inversa

Mín.: 600 V

Máx.: 1.200 V

Descripción

Además de garantizar el cumplimiento de las normativas actuales más estrictas en materia de eficiencia energética (Energy Star, 80Plus y European Efficiency), los diodos de carburo de silicio de ST presentan unas características dinámicas cuatro veces mejores con un 15% menos de tensión directa (VF) que los diodos de silicio estándar. Los diodos de carburo de silicio pertenecen a nuestra familia STPOWER. La eficacia y robustez de los inversores solares, los accionamientos de motores, los sistemas de alimentación ininterrumpida y los circuitos de los vehículos eléctricos mejoran considerablemente con el uso de diodos de carburo de silicio (SiC). ST propone una gama de 600 a 1200 V con diodos sencillos y dobles encapsulados en tamaños de encapsulado desde PowerFLATTM 8x8 hasta TO-247, incluido el TO-220 con aislamiento cerámico. Los diodos de SiC en versiones de 10, 15 y 20 A se encapsulan de nuevo en el D2PAK, que presenta una mayor distancia de fuga para cumplir normas eléctricas y de contaminación más estrictas.

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