Espectrómetro de masa IMS Wf & SC Ultra

IMSde procesopara la industria de los semiconductores

SIMS de baja energía de alto rendimiento para aplicaciones avanzadas de semiconductores El IMS Wf y SC Ultra se han diseñado específicamente para satisfacer las crecientes necesidades de mediciones de SIMS dinámicas en semiconductores avanzados. Ofreciendo una amplia gama de energías de impacto (100 eV a 10 keV) sin comprometer la resolución de masa y la densidad del haz primario, aseguran un rendimiento analítico inigualable con un alto rendimiento para las aplicaciones más desafiantes: implantes extra de alta energía y superficial, óxidos de nitruro ultra compactos, compuertas de metal alto en k, capas dopadas SiGe, estructuras Si:C:P, dispositivos PV y LED, grafeno, etc. De perfiles de profundidad estándar a ultra superficiales Un primer requisito para el análisis de semiconductores avanzados es la optimización de las condiciones analíticas SIMS para perfiles de profundidad ultra superficiales sin abandonar las aplicaciones de perfiles de profundidad estándar. Por lo tanto, CAMECA ha desarrollado un diseño único de instrumento SIMS capaz de pulverizar muestras con una amplia gama de energías de impacto: desde alta energía (rango keV) para estructuras gruesas hasta energía ultrabaja (? 150 eV) para estructuras ultradelgadas. Esta flexibilidad en la elección de energía de impacto está disponible para diferentes condiciones de pulverización bien controladas (especie, ángulo de incidencia, etc.). El IMS Wf y SC Ultra de CAMECA son los únicos instrumentos SIMS que ofrecen tal capacidad de Energía de Impacto EXtremadamente Baja (EXLIE) sin comprometer la alta resolución de masa y la alta transmisión.