Reactivo

Descripción general Ofrecemos una gama completa de formulaciones de grabado para procesos de semiconductores y microfabricación, incluidos Buffered Oxide Etchants (BOE), HF diluido, etchants de ácidos mixtos (MAE) y etchants metálicos especializados.

Resumen La línea incluye múltiples proporciones NH4F:HF para BOE, mezclas de HF diluido con control estricto de análisis, opciones MAE y etchants específicos para retirada selectiva de metales. Las formulaciones están disponibles con o sin tensioactivo y pueden adaptarse a requisitos de proceso.

Gama de productos

• Buffered Oxide Etchants (BOE)
  • BOE mezclados con precisión y especificaciones analíticas estrictas, disponibles en varias proporciones NH4F:HF.
  • Se utilizan para grabado de películas de SiO2 y preparación superficial antes de difusión y metalización.
  • Formulados a partir de HF y NH4F de alta pureza; disponibles con o sin tensioactivo.
• HF diluido
  • Mezclas controladas de HF diluido para eliminación de óxidos y limpieza de proceso, con tolerancias analíticas reducidas.
• Freckle Etch
  • Diseñado para la eliminación de nódulos residuales de silicio tras procesos de grabado Al–Si–Cu.
• Etchants metálicos especiales
  • Químicas para la eliminación selectiva de capas metálicas, incluidos etchants específicos para aluminio y etchants por inmersión para capas de metalización; opciones de tensioactivo e ingeniería personalizada disponibles.

Aplicaciones / Usos típicos

• Grabado de películas de SiO2 en fabricación de dispositivos semiconductores.
• Preparación de superficies antes de difusión y metalización.
• Eliminación de nódulos de silicio tras pasos de grabado Al–Si–Cu.
• Retirada selectiva de capas metálicas en procesos de metalización.

Características / Especificaciones técnicas

• Tipos de producto: BOE, HF diluido, MAE, Freckle Etch, etchants metálicos especiales.
• BOE disponibles en varias proporciones NH4F:HF con control estricto de ensayo.
• Materias primas principales: HF y NH4F de alta pureza para formulaciones BOE.
• Opciones: con/sin tensioactivo; etchants por inmersión y etchants específicos para aluminio disponibles; soporte de formulación personalizado.
• Funciones principales: grabado de SiO2, preparación de superficie, retirada selectiva de metales, eliminación de nódulos tras grabado Al–Si–Cu.