Características de la máquina- Pulsos subnanosegundo (0,1–0,2 ns, personalizable); calidad de haz próxima al límite de difracción (M2 ≤1,5); energía máxima por pulso 0,8 mJ
- Configuración óptica integral en fibra que proporciona salida estable (estabilidad de potencia ≤3 % en 24 h) y rendimiento de mecanizado mejorado para industrias de semiconductores y fotovoltaica
- Tasa de repetición ajustable 100–2000 kHz y rango de ajuste de potencia 0–100 % para mayor flexibilidad del proceso
- Huella compacta, respuesta rápida (<100 μs) y parámetros de haz controlados (tamaño de spot 3,0±0,2 mm, elipticidad típ. 92 %)
Aplicaciones- Corte, perforación y rayado de vidrio, silicio y cerámica
- Procesado y patrón de películas finas de metales y recubrimientos
- Marcado permanente en vidrio, silicio, cerámica, metales y plásticos
Ficha técnicaModelo de la máquina: Infrared Sub-nanosecond Laser NPFL-80IR-1.01
Modo de funcionamiento: Pulsado
Potencia media (W): 80
Longitud de onda central (nm): 1064
Ancho de línea espectral (nm): <30; ancho 3 dB
Tasa de repetición (kHz): 100-2000; ajustable
Anchura de pulso (ns): 0,1-0,2 ns; personalizable
Energía máxima por pulso (mJ): 0,8
Rango de ajuste de potencia (%): 0-100
Tiempo de respuesta (μs): <100
Calidad de haz (M2): ≤1,5
Estabilidad de potencia (%): ≤3 %; 24 h
Tamaño del spot (mm): 3,0±0,2; 1/e2
Elipticidad del haz (%): >90; típ. 92 %
Desplazamiento del haz (mm): <1,0
Ángulo de divergencia del haz (mrad): <0,5
Especificaciones técnicas- Modelo: NPFL-80IR-1.01
- Modo: Pulsado
- Potencia media: 80 W
- Longitud de onda: 1064 nm
- Ancho de línea espectral: <30 nm (3 dB)
- Tasa de repetición: 100–2000 kHz (ajustable)
- Anchura de pulso: 0,1–0,2 ns (personalizable)
- Energía máxima por pulso: 0,8 mJ
- Ajuste de potencia: 0–100 %
- Tiempo de respuesta: <100 μs
- Calidad de haz (M2): ≤1,5
- Estabilidad de potencia: ≤3 % (24 h)
- Tamaño del spot: 3,0 ±0,2 mm (1/e2)
- Elipticidad: >90 % (típ. 92 %)
- Desplazamiento del haz: <1,0 mm
- Ángulo de divergencia: <0,5 mrad