Fuente láser pulsada HPF-50-IR

de femtosegundode pulsos ultracortosde estado sólido

Características de la máquina

• Pulso femtosegundo
• Alta energía por pulso y potencia pico
• Calidad de haz cercana al límite de difracción
• Alta estabilidad y fiabilidad

Aplicaciones
Este láser emplea tecnología avanzada de amplificación de pulsos estirados (CPA) para proporcionar salida femtosegundo cercana al límite de difracción. Se aplica ampliamente en las industrias de semiconductores y electrónica de consumo para micromecanizado preciso y rendimiento de proceso constante.

• Corte, taladrado y marcación por scribe (vidrio, silicio, cerámica, placas de circuito flexible)
• Patronado de películas finas (metales, capas delgadas)
• Marcado (vidrio, silicio, cerámica, metales, plásticos)

Ficha técnica
Modo de operación: Pulse
Potencia media (W): 50 W @ 600 kHz (alternativa: 20 W @ 100 kHz)
Longitud de onda central (nm): 1030
Ancho de línea (nm): <3 (3 dB)
Frecuencia de repetición (kHz): 50-2000 (ajustable)
Anchura de pulso (fs): 600-30000 (personalizable)
Energía máxima por pulso único (µJ): 200
Rango de ajuste de potencia (%): 0-100
Tiempo de respuesta (µs): <100
Calidad de haz (M2): ≤1.3
Estabilidad de potencia (%): ≤2 (24 h)
Tamaño del punto (mm): 2.5±0.3 (1/e2)
Elipticidad del punto (%): >90 (típ. 93%)
Desplazamiento del haz (mm): <1.0
Ángulo de divergencia del haz (mrad): <0.5

Características / especificaciones técnicas

• Modo de operación: Pulse
• Potencia media: 50 W @ 600 kHz (alternativa: 20 W @ 100 kHz)
• Longitud de onda central: 1030 nm
• Ancho de línea: <3 nm (3 dB)
• Frecuencia de repetición: 50-2000 kHz (ajustable)
• Anchura de pulso: 600-30000 fs (personalizable)
• Energía máxima por pulso único: 200 µJ
• Rango de ajuste de potencia: 0-100%
• Tiempo de respuesta: <100 µs
• Calidad de haz (M2): ≤1.3
• Estabilidad de potencia: ≤2% (24 h)
• Tamaño del punto: 2.5±0.3 mm (1/e2)
• Elipticidad del punto: >90% (típ. 93%)
• Desplazamiento del haz: <1.0 mm
• Ángulo de divergencia del haz: <0.5 mrad