Sistema de haz de iones focalizados NX2000

NX2000 es un FIB-SEM optimizado para aplicaciones de semiconductores (análisis de defectos con importación de coordenadas KLARF, extracción de láminas TEM, desarrollo de dispositivos). Con un recorrido X,Y de 205 x 205 mm, la etapa de muestra permite incluso el procesamiento de toda la superficie de obleas de 200 mm sin rotación de la muestra. El Ga FIB montado verticalmente permite una corriente de iones de hasta 100 nA a 30 kV. La columna FE-SEM está equipada con un emisor de campo frío.