Sistema de preparación de muestras automático IM5000

para SEMfresado con haz de ionesde refrigeración

Descripción general
Los sistemas de fresado por iones Hitachi IM4000II e IM5000 ofrecen preparación de muestras de precisión para microscopía electrónica de barrido (SEM) y técnicas de análisis superficial. Adecuados para metales, semiconductores, polímeros, cerámicas y materiales multicapa, proporcionan secciones transversales y superficies planas con mínimos artefactos. Diseñados para investigación, control de calidad industrial y laboratorios de ciencia de materiales, ambos modelos ofrecen resultados reproducibles y un alto rendimiento para aplicaciones avanzadas de microscopía electrónica.

Características clave

• Alta tasa de fresado: eliminación de material rápida para sustratos duros.
• Modos de fresado de sección y plano: procesamiento flexible para distintos tipos de muestra.
• Enfriamiento criogénico (opcional): protege materiales sensibles a la temperatura.
• Interfaz intuitiva: pantalla táctil y ciclos programables.
• Compatibilidad SEM/AFM: integración con microscopios Hitachi y de terceros; Holder Unit para transferencia en atmósfera protegida disponible.

Funciones y beneficios

• Rendimiento: IM4000II ≈ 500 μm/h (Si, protuberancia 100 μm); IM5000 ≥ 1 mm/h (mismas condiciones) para reducir tiempos de preparación.
• Versatilidad de modos: el fresado de sección produce superficies lisas sin distorsión; el fresado plano elimina artefactos superficiales útil para EBSD.
• Fresado de área amplia (IM5000): permite fresar de forma uniforme hasta 10 mm de ancho para componentes electrónicos y piezas industriales de gran tamaño.
• Opción criogénica: control de temperatura (0°C a −100°C vía LN2) para preservar polímeros, muestras biológicas y materiales sensibles al calor.
• Control del haz: irradiación intermitente programable (ciclos ON/OFF) y voltaje de aceleración ajustable para materiales sensibles al haz.
• Integración de flujo de trabajo: compatibilidad con SEM Hitachi y sistemas de terceros; máscaras y soportes opcionales para transferencias inertes y mayor tolerancia al haz.

Aplicaciones

• Metales y aleaciones — análisis microestructural y cortes transversales.
• Baterías — cortes transversales de electrodos y componentes en capas.
• Electrónica y semiconductores — exposición de capas e interfaces en circuitos integrados.
• Polímeros y materiales blandos — preparación criogénica para evitar deformación.
• Películas multicapa y recubrimientos — estudios de composición y adhesión.
• Materiales industriales duros — preparación de muestras para SEM y análisis de superficie.

Especificaciones (resumen)
Gas utilizado : Ar (argón)
Tensión de aceleración : IM4000II 0–6 kV | IM5000 0–8 kV
Tasa máxima de fresado (Si, protuberancia 100 μm) : IM4000II ≈ 500 μm/h | IM5000 ≥ 1 mm/h
Ancho máximo de fresado : IM4000II no disponible | IM5000 hasta 10 mm
Tamaño máximo de muestra : 20 mm (A) × 12 mm (P) × 8 mm (H)
Recorrido de la muestra : X ±7 mm, Y 0 a +3 mm
Irradiación intermitente del haz iónico : ON/OFF programable (1 s a 59 min 59 s)
Ángulo de oscilación : ±15°, ±30°, ±40°
Área de fresado plano : φ 32 mm; tamaño máximo fresado φ 50 × 25 mm (H)
Velocidad de rotación : 1 rpm, 25 rpm
Rango de inclinación : 0° a 90°
Control de temperatura (opcional) : 0°C a −100°C vía LN2

Especificaciones técnicas

• Gas: Argón (Ar).
• Voltaje de aceleración: IM4000II 0–6 kV; IM5000 0–8 kV.
• Tasa de fresado: IM4000II ≈ 500 μm/h; IM5000 ≥ 1 mm/h (Si, protuberancia 100 μm).
• Fresado de área amplia: IM5000 hasta 10 mm; IM4000II no disponible.
• Tamaño máximo de muestra y dimensiones de fresado plano indicados arriba.
• Irradiación intermitente programable y parámetros de haz ajustables para materiales sensibles.
• Módulos opcionales: control de temperatura, máscaras de mayor tolerancia al haz, unidad de microscopio estéreo (15×–100×), Air protection Holder Unit y accesorios de montaje.