Detector de deriva de silicio Vortex®-EM

de rayos XdigitalCMOS

Los detectores de rayos X de deriva de silicio Vortex-EM presentan áreas activas de entre 30 mm2 y 80 mm2. Los detectores Vortex-EM se fabrican a partir de silicio de alta pureza utilizando la tecnología de producción CMOS más avanzada. Presentan una excelente resolución energética (<130 eV FWHM a Mn Kα es típico) y una alta capacidad de tasa de recuento. A 0,1 µs PT se consigue una tasa de recuento de salida de 900 kcps. Una característica única de estos detectores es su capacidad para procesar altas tasas de recuento con una pérdida muy pequeña en la resolución energética y un desplazamiento mínimo del pico con la tasa de recuento. - Espectroscopia de fluorescencia de rayos X (XRF) tanto a granel como de microfluorescencia - Microanálisis para SEM y TEM - Aplicaciones de radiación sincrotrón - Emisión de rayos X inducida por partículas (PIXE) - Cartografía rápida de rayos X El Vortex-EM funciona a temperatura casi ambiente y se enfría mediante un refrigerador termoeléctrico (TEC), y puede someterse a ciclos con la frecuencia necesaria sin que se degrade el rendimiento del detector. Los tiempos de enfriamiento suelen ser inferiores a 2 minutos. El sistema de espectroscopia de rayos X Vortex-EM incluye una unidad de detector y una caja de control que incluye fuentes de alimentación para el detector, TEC y un procesador de impulsos digital opcional con el software PI-SPEC. El detector completo también contiene un preamplificador sensible a la carga y un sistema de estabilización de temperatura, que elimina los problemas de variación de la temperatura ambiente.