Equipo de detección de gas para la supervisión de procesos LG-100 Series

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Resumen
El analizador de gases láser LG-100 Series realiza la medición en tiempo real de los cambios de presión parcial de tetrafluoruro de silicio (SiF4) generados durante los procesos de grabado en la fabricación de semiconductores. Estas mediciones permiten la detección de endpoint y reducen el riesgo de subgrabado o sobregrabado, mejorando la productividad y el rendimiento.

Tecnología y aplicación
La LG-100 Series incorpora la tecnología de análisis de gases por infrarrojo IRLAM™ (Infrared Laser Absorption Modulation) de HORIBA. IRLAM permite mediciones altamente sensibles de gases traza a niveles de ppb con tiempos de respuesta de aproximadamente 0,1 s. El analizador admite análisis multicomponente y una respuesta rápida adecuada para procesos de grabado de lógica avanzada y aplicaciones sin plasma.

Características clave

• Medición de alta sensibilidad y alta velocidad de componentes de escape generados por procesos de grabado
• Detección de endpoint mediante cambios en la composición del gas (monitoreo de SiF4)
• Diseñado para la monitorización de procesos de grabado sin plasma
• IRLAM™ permite la detección de gases traza a nivel de ppb con respuesta ≈0,1 s

Beneficios
El monitoreo en tiempo real de la presión parcial permite una detección precisa del endpoint durante el grabado, minimizando el sub- y sobregrabado y favoreciendo un mayor rendimiento de fabricación. El análisis multicomponente rápido y sensible responde a las necesidades de control de las arquitecturas 3D modernas y admite diversos requisitos de proceso.

Fabricante / Clasificación
Empresa fabricante: HORIBA STEC, Co., Ltd.
Segmento: Semiconductor
División: Dry Process Control

Características / Especificaciones técnicas

• Gas medido ejemplo: tetrafluoruro de silicio (SiF4) — monitoreo de presión parcial en mezclas gaseosas
• Principio de medida: Infrared Laser Absorption Modulation (IRLAM™)
• Sensibilidad: medición de gases traza a nivel ppb (capacidad IRLAM)
• Velocidad de respuesta: aprox. 0,1 s
• Aplicación principal: detección de endpoint en tiempo real durante procesos de grabado
• Funcionalidad: análisis multicomponente, respuesta rápida para monitorización de procesos
• Uso previsto: fabricación de semiconductores de lógica avanzada; aplicaciones sin plasma