Módulo de memoria DRAM H9JKNNNFB3AECR-N6H

Módulo de memoria DRAM - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix
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Características

Tipo
DRAM
Memoria

8 GB, 12 GB, 18 GB

Descripción

Factor de forma pequeño, bajo consumo y eficiencia energética Avances de bajo consumo A medida que las marcas de teléfonos empiezan a adoptar LPDDR5 como el nuevo estándar, SK hynix presenta LPDDR5 como su oferta principal con 18 GB de capacidad y 6.400 Mbps de velocidad de transferencia. Con una potencia de 1,05 V, incluso inferior a los 1,1 V de LPDDR4X, nuestra LPDDR5 se adapta perfectamente a los smartphones con DRAM de 8 GB, 12 GB y 18 GB, actualmente las capacidades más populares en el mercado de gama alta. 2 veces mayor escalabilidad LPDDR5 tiene 16 bancos, dos veces más que los 8 bancos de LPDDR4, lo que le permite ejecutar el doble de operaciones en un solo ciclo y funcionar a una velocidad dos veces más rápida de 6.400 Mbps. Alta eficiencia energética LPDDR5 consume 1,05 V de tensión de alimentación, un 20% menos que los 1,1 V que necesita LPDDR4X.

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