Microchip de potencia LND150

MOSFET

El LND150 es un transistor de modo de agotamiento (normalmente encendido) de canal N de alta tensión que utiliza tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida contra ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente conectados, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y amplificación. Características del producto Libre de averías secundarias Baja potencia de accionamiento Facilidad de conexión en paralelo Excelente estabilidad térmica Diodo fuente-drenaje integrado Alta impedancia de entrada y bajo CISS Protección de puerta ESD Paramétrico BVdss mín (V) - 500 Rds (on) máx (Ohmios) - 1000 Vgs(off) Min (V (volt)) - -1.0 Vgs(off) Max (V (volt)) - -3.0 Encapsulado - SOT-23, TO-92, SOT-89