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Microchip MOSFET LND150
de potencia

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Características

Especificaciones
MOSFET, de potencia

Descripción

El LND150 es un transistor de modo de agotamiento de canal N de alta tensión (normalmente encendido) que utiliza tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida contra ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente conectados, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampas de tensión y amplificación. Características del producto Libre de averías secundarias Requiere poca potencia de accionamiento Facilidad de conexión en paralelo Excelente estabilidad térmica Diodo fuente-drenaje integrado Alta impedancia de entrada y bajo CISS Protección de puerta ESD

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