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MOSFET RVS20N65 series

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Descripción

RVS20N65N65F/S/PN es un MOSFET de potencia de alto voltaje con modo de mejora de canal N producido utilizando la tecnología DP MOS de Rongtech. Consigue bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Lleva a los ingenieros de diseño a sus convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es de aplicación universal, es decir, adecuado para topologías de conmutación duras y blandas. CARACTERÍSTICAS ♦20A, 650V, RosT,)=0.2i2@VGS=10V ♦New revolucionaria tecnología de alta tensión ♦Ultra bajo costo de puerta de embarque ♦Periodic clasificado como avalancha ♦Extreme valorado en dv/dt ♦High capacidad de corriente de pico

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