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MOSFET de silicio RM60N10PA

MOSFET de silicio
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Características

Material
de silicio

Descripción

Este MOSFET de Rongtech Industry(ShangHai) Inc. Tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de drenaje a fuente extremadamente baja RDS(on). Por esta razón, este MOSFETs tiene un bajo consumo de energía durante la aplicación que también mejora la fiabilidad y la durabilidad. Características: VDS=100V,ID=60A Rdson≦23mΩ @VGS=10V (Typ:18.0mΩ) Área de funcionamiento seguro ampliada Baja capacitancia de transferencia inversa prueba de energía de avalancha de un solo pulso al 100% Aplicación -Aplicación de conmutación de energía -Control de motores de corriente continua - SAI

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Catálogos

RM60N10PA
RM60N10PA
5 Páginas
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.