El RM-LSR-9000 incorpora la tecnología de pasivación local selectiva por láser para eliminar con precisión los defectos en los bordes de corte y la recombinación de portadores en los bordes. Bajo la premisa de actualizaciones de la línea de producción a bajo coste, la potencia de cada módulo aumenta de forma estable entre 6 y 10 W. Es perfectamente adecuado para obleas de silicio de gran tamaño (182/210) y para la producción en masa de células de alta eficiencia convencionales, como TOPCon y HJT, lo que lo convierte en la solución técnica clave para mejorar la calidad y la eficiencia de las células fotovoltaicas en esta etapa.
Capacidad
≥9000UPH@182R
Láser
Láser de picosegundos verde de alta estabilidad
Haz
Diseño optimizado para la conformación del haz
Alta capacidad, bajo daño, alta estabilidad
Proceso simplificado
Proceso sencillo, fácil de controlar, no requiere modificación de línea.
Mejora de potencia
Ganancia de potencia del módulo ≥2W.
Amplia compatibilidad
Con el desarrollo de celdas de corte 1/3/1/4 , la eficiencia muestra un efecto aditivo independientemente de si se aplica o no la pasivación de bordes ALD: el proceso láser es compatible con ambos escenarios.
Modernización flexible
Brindar soporte para la modernización de los sistemas PERC y TopCon existentes.