& encuentre a todos sus clientes en un solo lugar durante todo el año
Hacerse expositor
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Corriente: -4 A
Tensión: -20 V
... con un diodo de protección G-S. Baja resistencia de encendido -accionamiento de 1,5 V Diodo de protección G-S incorporado Pequeño paquete DFN Plomo libre de Pb; cumple con RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 3 A
Tensión: 80 V
... calificado según AEC-Q101. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Encapsulado de montaje superficial pequeño (TSMT6) Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con RoHS Certificado AEC-Q101 ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 4 A
Tensión: 20 V
... 1.accionamiento de 5 V Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Paquete de montaje superficial pequeño (TSMT3) Calificación AEC-Q101 ...
ROHM Semiconductor
Corriente: -3,5 A
Tensión: -20 V
... calificado según AEC-Q101. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Encapsulado de montaje superficial pequeño (TSMT6) Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con RoHS Calificado AEC-Q101 ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 2 A
Tensión: 45 V
... aplicaciones de conmutación. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Encapsulado de montaje superficial pequeño para ahorrar espacio (TSMT3) Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con la normativa ...
ROHM Semiconductor
Corriente: -2,5 A
Tensión: -30 V
... adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Paquete de montaje superficial pequeño (TSMT3) Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con RoHS Certificado AEC-Q101 ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 2,5 A
Tensión: 30 V
... El RTR025N03HZG es un transistor de grado automotriz de alta fiabilidad, adecuado para aplicaciones de conmutación. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Encapsulado de montaje superficial ...
ROHM Semiconductor
Corriente: -5 A
Tensión: -12 V
... aplicaciones de conmutación. Baja resistencia de encendido. Diodo de protección G-S incorporado. Paquete de montaje superficial pequeño (TSMT6). Revestimiento de plomo sin plomo; cumple con la normativa RoHS. ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 3,5 A
Tensión: 30 V
... aplicaciones de conmutación. Baja resistencia de encendido. Diodo de protección G-S incorporado. Paquete de montaje superficial pequeño (TSMT6). Revestimiento de plomo sin plomo; cumple con la normativa RoHS. ...
ROHM Semiconductor
Tensión: 45 V
... Los tipos BCX51, BCX52 y BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son transistores de silicio PNP fabricados mediante el proceso planar epitaxial, moldeados con epoxi en un encapsulado de montaje superficial, diseñados para aplicaciones ...
Central Semiconductor
Tensión: 50, 60, 7 V
... Central Semiconductor (dos transistores NPN simples) es una combinación doble en un encapsulado SOT-363 ULTRAmini™ que ahorra espacio, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de propósito general de ...
Central Semiconductor
Tensión: 50 V
... Los CMPT5086, CMPT5086B y CMPT5087 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son transistores PNP de silicio fabricados mediante el proceso planar epitaxial, moldeados con epoxi en un encapsulado de montaje superficial, diseñados para ...
Central Semiconductor
Tensión: 60 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL BCV47 es un transistor de silicio NPN Darlington fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones que ...
Central Semiconductor
Tensión: 60, 80 V
... El CMLT3820G de CENTRAL SEMICONDUCTOR es un transistor NPN de muy bajo VCE(SAT), diseñado para aplicaciones donde el tamaño pequeño y la eficiencia son los requisitos principales. Empaquetado en un encapsulado ...
Central Semiconductor
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tensión: 50, 100 V
... El FMMT413 es un transistor bipolar planar de silicio NPN optimizado para la operación en modo avalancha. El estrecho control del proceso y el empaquetado de baja inductancia se combinan para producir pulsos de alta corriente ...
Diodes Incorporated
Corriente: 0,5 A - 2 A
Tensión: 30 V - 140 V
... Características y ventajas BVCEO > -60V Transistor Darlington hFE > 10k @ 100mA para alta ganancia IC = -500mA Corriente de colector continuo alta Tipo de PNP Darlington complementario: BCV47 Totalmente libre de ...
Diodes Incorporated
& encuentre a todos sus clientes en un solo lugar durante todo el año
Hacerse expositora los mejores proveedores
¿Cuáles?
Ayúdenos a mejorar:
caracteres restantes