Transistores

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transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V

... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control ...

transistor bipolar
transistor bipolar

... Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares adecuados para diversas aplicaciones, incluidos dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de alimentación eléctrica. ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V

... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de ...

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Infineon Technologies AG
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QC962-8A

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QP12W05S-37

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QP12W08S-37A

Corriente: 25 mA
Tensión: 13 V

... CARACTERÍSTICAS - Fuente de alimentación DC-DC aislada incorporada; Fuente de alimentación única topología de accionamiento de la fuente de alimentación - Alta tensión de aislamiento de 3750VAC - Frecuencia de la señal de entrada de hasta ...

transistor IGBT
transistor IGBT
PDSA-series

... Tomas para IC de potencia Tipo estándar Simple en línea ●Cómo hacer un pedido ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Número de posiciones de 2 a 16 Rigidez dieléctrica - Resistencia de aislamiento - - Temperatura de funcionamiento EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x ...

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JC CHERRY INC.
transistor IGBT
transistor IGBT
PDSP series

... Zócalo de tamaño medio para IC de potencia Tipo agujero pasante Estilo dual 2.54mm / 0.100" Paso ●Cómo hacer un pedido ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Número de posiciones 04,12,20 (Número par) *Si desea otro número de posiciones, póngase ...

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JC CHERRY INC.
transistor IGBT
transistor IGBT
PDHS254-NB15-S series

... Tomas de transistor de potencia Paso Alta temperatura Baja desgasificación Tipo multipolar Contacto redondo de alta fiabilidad que proporciona un buen rendimiento eléctrico y mecánico. Las tomas de prueba para transistores ...

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JC CHERRY INC.
transistor MOSFET
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tensión: 110, 265 V

... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo ...

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Power Integrations
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
NXH800H120L7QDSG

Corriente: 800 A
Tensión: 1.200 V

... El NXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, lo ...

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Fairchild Semiconductor
módulo de transistor de potencia
módulo de transistor de potencia
AFM906N

Tensión: 7,5 V

... de salida de radio portátil de banda UHF Etapa de salida para radio portátil de 700-800 MHz Driver genérico de 6 W para transistores de etapa final ISM y broadcast ...

módulo de transistor MOSFET
módulo de transistor MOSFET
RH6G040BG

Corriente: 95 A
Tensión: 40 V

... El RH6G040BG es un MOSFET de potencia con baja resistencia de conexión y un paquete de alta potencia, adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Paquete de molde pequeño de alta potencia (HSMT8) Revestimiento sin Pb; ...

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ROHM Semiconductor
transistor MOSFET
transistor MOSFET
L9338

Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V

... ST ofrece una amplia gama de conmutadores inteligentes de 3 y 5 patillas (OMNIFET) para automoción basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
5SN series

Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

... Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos IGBT ...

transistor IGBT
transistor IGBT
StakPak

Corriente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensión: 4.500, 5.200 V

... prensa y diodos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia en una avanzada carcasa modular que garantiza una presión de chip uniforme en pilas de múltiples dispositivos. Aunque el paquete más ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IRF series

Tensión: -400 V - 1.000 V

... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y PowerPAK® térmicamente ...

transistor bipolar
transistor bipolar

Tensión: 0,24 V - 3,5 V

transistor transistor bipolar de rejilla aislada
transistor transistor bipolar de rejilla aislada
BID series

Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V

... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo ...

transistor bipolar
transistor bipolar
BCX51

Tensión: 45 V

... DESCRIPCIÓN: Los tipos de SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52 y BCX53 son transistores de silicio PNP fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones ...

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Central Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar
BC337-25

Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V

... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...

transistor de efecto de campo
transistor de efecto de campo
COM-MOSFET

Corriente: 2 A
Tensión: 36 V

... Con este MOSFET se puede controlar una tensión de hasta 36 voltios. Con la modulación de la anchura de los impulsos, se puede reducir la tensión media cuadrática (por ejemplo, para atenuar una luz LED). COMPATIBLE CON Arduino, Raspberry ...

módulo de transistor RF
módulo de transistor RF

... Los HEMT de GaN, los FET de GaA, los MMIC y las soluciones HEMT de bajo ruido ofrecen un alto rendimiento y una fiabilidad sin concesiones para aplicaciones de radar, estaciones base, SATCOM, punto a punto y espaciales. ...

transistor RF
transistor RF
AT-32011

Corriente: 1 mA - 20 mA
Tensión: 2,7 V

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Broadcom
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
SKM145GB066D

Corriente: 150 A
Tensión: 600 V

... 600V. Interruptores - de medio puente. Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar que facilita la integración del dispositivo en los equipos existentes. Los módulos IGBT (Transistor ...

transistor FET
transistor FET

... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...

transistor bipolar
transistor bipolar
DMB series

Tensión: 20, 50 V

... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...

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Diodes Incorporated
transistor bipolar
transistor bipolar
BFS20

Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V

... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe - 85 - VcE - 10V ...

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Diotec
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