Transistores

25 empresas | 207 productos
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transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT

... Características: Fácil paralelismo gracias al coeficiente de temperatura positiva de la tensión de estado El diseño robusto de eXtreme-light Punch Through (XPT™) da como resultado: - de cortocircuito con capacidad para 10µs. - carga ...

transistor MOSFET / de potencia
transistor MOSFET

... Características Chip de silicio en Direct-Copper-Bond sustrato - alta disipación de energía - superficie de montaje aislada - Aislamiento eléctrico de 2500 V - baja capacitancia de drenaje a tabulación (< 40 pF) Rápido CoolMOS™ 1) potencia ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Tensión: 1.200 V
Corriente: 600 A

... módulos IGBT Littelfuse ofrecen alta eficiencia y velocidades de conmutación rápidas de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizado para aplicaciones de control de potencia, ...

transistor MOSFET / de potencia / de silicio
transistor MOSFET
HS8K11

Tensión: 30 V
Corriente: 0 A - 44 A

... HS8K11 es un MOSFET estándar para aplicaciones de conmutación Características - Baja resistencia al encendido. - Revestimiento de plomo sin plomo; conforme a RoHS. - Libre de halógenos. Especificaciones Código de paquete: HSML303030L10 Número ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolar / de potencia / para señales pequeñas / de silicio
transistor bipolar

Tensión: 0 V - 120 V
Corriente: 0 A - 5 A

... Disponible en la variedad de paquetes que tienen la naturaleza de la señal pequeña, delgada y de alta potencia para cubrir el mercado de forma extensiva. ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolar / para señales pequeñas / con resistencias de polarización integradas / digital
transistor bipolar
DTA series

Tensión: 12, 50, 60 V
Corriente: 0,1, 0,5, 1 A

... Los transistores digitales son inventados por Rohm, el primero en el mercado, que es el transistor que combina resistencia(s) incorporada(s) para la conveniencia del circuito digital. Este segmento de ...

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ROHM Semiconductor
módulo de transistor IGBT / de potencia
módulo de transistor IGBT

Tensión: 1.200 V
Corriente: 10, 25 A

... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
módulo de transistor IGBT / de potencia
módulo de transistor IGBT
GTS40FB120T5HB

Tensión: 1.200 V
Corriente: 40 A

... -Circuito Corto Nominal>10jjs -Bajo voltaje de saturación: Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A , Tc=25'C -Pérdida de conmutación baja -100% RBSOA Probado (2*lc>>) -Baja inductancia de dispersión -Libre de plomo, conforme a los requisitos de ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT
RGW25N135F1A

Tensión: 1.350 V
Corriente: 25 A

... Los IGBTs de Rongtech Field Stop Trench ofrecen bajas pérdidas de conmutación, alta eficiencia energética y alta resistencia a las avalanchas para aplicaciones de conmutación suave como calentamiento inductivo, horno de microondas, etc. CARACTERÍSTICAS -Alta ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT

transistor MOSFET / de potencia
transistor MOSFET

transistor bipolar / de potencia / para señales pequeñas / de silicio
transistor bipolar
BCX51

Tensión: 45 V

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52, y BCX53 son transistores de silicona PNP fabricado por el proceso epitaxial planar, epoxi moldeado en un paquete de montaje en superficie, diseñado para alta aplicaciones ...

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Central Semiconductor
transistor NPN / MOSFET / para señales pequeñas / doble
transistor NPN
CMKT3920

Tensión: 60, 50, 7 V
Corriente: 200 mA

... DESCRIPCIÓN: El semiconductor central CMKT3920 (2 unidades de Transistores NPN) es una combinación dual en un espacio sOT-363 ULTRAmini™ paquete de ahorro, diseñado para pequeña señal amplificador de uso general y conmutación aplicaciones. CÓDIGO ...

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Central Semiconductor
transistor bipolar / para señales pequeñas / de silicio / silencioso
transistor bipolar
CMPT5086

Tensión: 50, 3 V
Corriente: 50 mA

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B y CMPT5087 son transistores PNP de silicio fabricado por el proceso epitaxial planar, epoxi moldeado en un paquete de montaje en superficie, diseñado para aplicaciones ...

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Central Semiconductor
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
900 A, 1200 V | IAP900D120

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
1000 A, 1700V | IAP1000D170

transistor MOSFET / de potencia / de conmutación / de avalancha
transistor MOSFET
IPD900P06NM

... MOSFETs de canal P en nivel normal y lógico, reduciendo la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia Descripción OptiMOS™ Los MOSFETs de canal P de 60V en el paquete DPAK representan la nueva tecnología destinada ...

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Infineon Technologies - Sensors
transistor bipolar / de potencia
transistor bipolar

Tensión: 20 V
Corriente: 100, 82 A

Toshiba ofrece una gran variedad de transistores bipolares adecuados para diferentes aplicaciones, como dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de fuente de alimentación. Un transistor de puerta mejorado ...

transistor NPN / de potencia
transistor NPN

Corriente: 0 A - 10 A

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Renesas Electronics
módulo de transistor de potencia
módulo de transistor de potencia
AFM906N

Tensión: 7,5 V

... de radio portátil en banda UHF Etapa de salida para radio portátil de 700-800 MHz Controlador genérico de 6 W para ISM y transistores de radiodifusión de última etapa ...

transistor MOSFET / de potencia / para las técnicas automóviles
transistor MOSFET
VND series

... ST ofrece una amplia gama de interruptores inteligentes de 3 y 5 patillas de bajo perfil (OMNIFET) basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT
FG, ISL9 series

Tensión: 250, 500 V
Corriente: 10, 43 A

... FAIRCHILD presenta su nueva línea de encendido automotriz con IGBT. Está especialmente diseñado para tener la mayor densidad de energía de pinza de todos los dispositivos del mercado y un bajo voltaje de saturación. Proporciona un rendimiento ...

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Fairchild Semiconductor
transistor HEMT / de potencia / de GaAs
transistor HEMT
TGF2018

Tensión: 8 V
Corriente: 29 mA

... Características principales Rango de frecuencia: DC - 20 GHz 22 dBm Potencia de salida típica - P1dB 14 dB Ganancia típica @ 12 GHz 55% PAE Típico a 12 GHz 1.0 dB NF típica @12 GHz No Vias Tecnología: 0.25 um GaAs pHEMT El TGF2018 de ...

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Triquint Semiconductor
transistor bipolar / para señales pequeñas / de conmutación
transistor bipolar
BC337-25

Tensión: 50 V
Corriente: 0,8 A

... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...

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Taiwan Semiconductor
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
SK 9 BGD 065 ET

... nuevos diseños ViviendaSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBxHHH)55x31x12 Paquete SwitchesSix VCES en V600 ICnom en A6 TecnologíaNPT IGBT (Ultrarrápido) ...

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SEMIKRON
transistor bipolar / de potencia
transistor bipolar

Tensión: 3,5 V - 350 V
Corriente: 0,04 A - 16 A

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ON Semiconductor
módulo de transistor IGBT / de conmutación
módulo de transistor IGBT

Tensión: 600, 1.200 V
Corriente: 3,9 A - 50 A

... CARACTERÍSTICAS - Puente rectificador de entrada - Etapa PFC con warp 2 IGBT y FRED Pt® diodo hiperrápido - Diseño de inductancia de dispersión muy baja para una alta operación de velocidad - Termistor integrado - Placa ...

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VISHAY
transistor RF
transistor RF
AT-31033

Tensión: 2,7 V
Corriente: 1 mA - 10 mA

... Cuenta con un dispositivo de microcorriente que ofrece un buen rendimiento de RF a 1mA-10mA. El AT-310XX se aloja en una variedad de paquetes y es muy adecuado para buscapersonas, celulares/PCS y otras aplicaciones de RF. NF=0.9dB, Ganancia=13dB ...

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Broadcom
transistor FET / de efecto de campo / de potencia / silencioso
transistor FET

... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...

transistor NPN / de conmutación
transistor NPN
2N2222AUATX

Tensión: 40, 50, 60 V

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Optek electronics
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
TIM series

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
600V, 800A

transistor bipolar / MOSFET / de conmutación
transistor bipolar
DMB series

Tensión: 20, 50 V

... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...

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Diodes Incorporated
transistor MOSFET / de potencia
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tensión: 110, 265 V

... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo ...

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Power Integrations
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QC962-8A

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QP12W05S-37