Transistores

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módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QC962-8A

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QP12W05S-37

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QP12W08S-37A

Tensión: 13 V
Corriente: 25 mA

... CARACTERÍSTICAS - Fuente de alimentación DC-DC aislada incorporada; Fuente de alimentación única topología de accionamiento de la fuente de alimentación - Alta tensión de aislamiento de 3750VAC - Frecuencia de la señal de entrada de hasta ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
HS8K11

Tensión: 30 V
Corriente: 0 A - 44 A

... HS8K11 es un MOSFET estándar para aplicaciones de conmutación Características - Baja resistencia al encendido. - Revestimiento de plomo sin plomo; conforme a RoHS. - Libre de halógenos. Especificaciones Código de paquete: HSML303030L10 Número ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar

Tensión: 0 V - 120 V
Corriente: 0 A - 5 A

... Disponible en la variedad de paquetes que tienen la naturaleza de la señal pequeña, delgada y de alta potencia para cubrir el mercado de forma extensiva. ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar
DTA series

Tensión: 12, 50, 60 V
Corriente: 0,1, 0,5, 1 A

... Los transistores digitales son inventados por Rohm, el primero en el mercado, que es el transistor que combina resistencia(s) incorporada(s) para la conveniencia del circuito digital. Este segmento de ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar

Tensión: 20 V
Corriente: 100, 82 A

Toshiba ofrece una gran variedad de transistores bipolares adecuados para diferentes aplicaciones, como dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de fuente de alimentación. Un transistor de puerta mejorado ...

transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso de IGBT de última generación, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, una baja corriente de cola, una baja ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Tensión: 1.200 V
Corriente: 600 A

... módulos IGBT Littelfuse ofrecen alta eficiencia y velocidades de conmutación rápidas de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizado para aplicaciones de control de potencia, ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

... MOSFETs de canal P en nivel normal y lógico, reduciendo la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia Descripción OptiMOS™ Los MOSFETs de canal P de 60V en el paquete DPAK representan la nueva tecnología destinada ...

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Infineon Technologies - Sensors
transistor NPN
transistor NPN
HD1750FX

Tensión: 1.700 V
Corriente: 24 A

... Transistor de potencia NPN de alto voltaje para pantallas CRT de alta definición y nuevas súper delgadas El dispositivo utiliza un colector difuso en tecnología planar que adopta una "estructura de alta tensión mejorada" ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
StakPak

Tensión: 4.500, 5.200 V
Corriente: 3.000, 1.300, 2.000 A

... prensa y diodos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia en una avanzada carcasa modular que garantiza una presión de chip uniforme en pilas de múltiples dispositivos. Aunque el paquete más ...

transistor NPN
transistor NPN

Corriente: 0 A - 10 A

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Renesas Electronics
transistor NPN
transistor NPN
CMLM0405

Tensión: 40 V
Corriente: 200 mA

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMLM0405 es un único transistor NPN y un diodo de Schottky empaquetado en una caja SOT-563 que ahorra espacio y está diseñada para aplicaciones de propósito general de señales pequeñas ...

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Central Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar
BCX51

Tensión: 45 V

... DESCRIPCIÓN: Los tipos de SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52 y BCX53 son transistores de silicio PNP fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones ...

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Central Semiconductor
transistor NPN
transistor NPN
CMKT3920

Tensión: 50 V

... DESCRIPCIÓN: El semiconductor central CMKT3920 (dos transistores NPN simples) es una combinación dual en un espacio ahorrando el paquete SOT-363 ULTRAmini™, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de ...

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Central Semiconductor
transistor MOSFET
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tensión: 110, 265 V

... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo ...

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Power Integrations
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
SK 9 BGD 065 ET

... nuevos diseños ViviendaSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBxHHH)55x31x12 Paquete SwitchesSix VCES en V600 ICnom en A6 TecnologíaNPT IGBT (Ultrarrápido) ...

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SEMIKRON
transistor MOSFET
transistor MOSFET

... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y PowerPAK® térmicamente ...

transistor bipolar
transistor bipolar
DMB series

Tensión: 20, 50 V

... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...

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Diodes Incorporated
transistor FET
transistor FET

... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...

transistor RF
transistor RF
AT-32011

Tensión: 2,7 V
Corriente: 1 mA - 20 mA

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Broadcom
transistor IGBT
transistor IGBT

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IXYS
transistor IGBT
transistor IGBT
FG, ISL9 series

Tensión: 250, 500 V
Corriente: 10, 43 A

... FAIRCHILD presenta su nueva línea de encendido automotriz con IGBT. Está especialmente diseñado para tener la mayor densidad de energía de pinza de todos los dispositivos del mercado y un bajo voltaje de saturación. Proporciona un rendimiento ...

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Fairchild Semiconductor
módulo de transistor de potencia
módulo de transistor de potencia
AFM906N

Tensión: 7,5 V

... de radio portátil en banda UHF Etapa de salida para radio portátil de 700-800 MHz Controlador genérico de 6 W para ISM y transistores de radiodifusión de última etapa ...

transistor bipolar
transistor bipolar
BC337-25

Tensión: 50 V
Corriente: 0,8 A

... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...

transistor bipolar
transistor bipolar

Tensión: 0,24 V - 3,5 V

módulo de transistor de potencia
módulo de transistor de potencia
HRC12

Tensión: 8 V - 35 V

... El módulo Bluetooth HRC12 es un módulo de transición de comunicación de datos entre el móvil y el grupo electrógeno. Se conecta con el controlador del grupo electrógeno a través de RS485. A través de la APP del móvil se puede obtener ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT

Tensión: 1.200 V
Corriente: 10, 25 A

... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,