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... Presenta PHEMT de ultra bajo nivel de ruido. El proceso está optimizado para ofrecer una cifra de ruido muy baja para estaciones base celulares/PCS críticas y otras aplicaciones de RF inalámbricas, alta consistencia de parte a parte y ...
Broadcom
... ATF-35143 es un PHEMT de alto rango dinámico y bajo ruido, alojado en un paquete de plástico de montaje superficial SC-70 de 4 derivaciones. ...
Broadcom
Broadcom
Corriente: 4 A
Tensión: 650 V
... La serie R6xxxENx son productos de bajo ruido, MOSFET de súper unión, que hacen hincapié en la facilidad de uso. Los productos de esta serie consiguen un rendimiento superior en aplicaciones sensibles al ruido para reducirlo, como equipos ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 1,7 A
Tensión: 600 V
... La serie R6xxxENx son productos de bajo ruido, MOSFETs de súper unión, que ponen énfasis en la facilidad de uso. Los productos de esta serie logran un rendimiento superior para aplicaciones sensibles al ruido para reducirlo, como los ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 76 A
Tensión: 600 V
... El R6076ENZ4 es un MOSFET de potencia para aplicaciones de conmutación. Baja resistencia a la conexión Rápida velocidad de conmutación Fácil uso en paralelo Revestimiento sin Pb; cumple con RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 4 A
Tensión: 600 V
... El MOSFET de potencia R6004END3 es adecuado para la alimentación de conmutación. Baja resistencia de encendido Bajo ruido de radiación Conmutación rápida El uso en paralelo es fácil Revestimiento sin Pb; cumple con la normativa RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 11 A
Tensión: 650 V
... El R6511ENX es un MOSFET de potencia con baja resistencia de encendido y conmutación rápida, adecuado para la aplicación de conmutación. Baja resistencia a la conexión Rápida velocidad de conmutación Fácil uso en paralelo Revestimiento ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 11 A
Tensión: 650 V
... El R6511ENJ es un MOSFET de potencia con baja resistencia de encendido y conmutación rápida, adecuado para la aplicación de conmutación. Baja resistencia a la conexión Rápida velocidad de conmutación Fácil uso en paralelo Revestimiento ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 650 V
... El R6524ENJ es un MOSFET de potencia con baja resistencia de encendido y conmutación rápida, adecuado para la aplicación de conmutación. Baja resistencia a la conexión Rápida velocidad de conmutación Fácil uso en paralelo Revestimiento ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 30 A
Tensión: 650 V
... El R6530ENX es un MOSFET de potencia con baja resistencia de conexión y rápida velocidad de conmutación, adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Rápida velocidad de conmutación Fácil uso en paralelo Revestimiento ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 4 A
Tensión: 600 V
... Los MOSFET de potencia se fabrican como dispositivos de baja resistencia a la conexión mediante tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Una amplia gama que abarca tipos compactos, tipos de alta potencia ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 30 A
Tensión: 600 V
... Los MOSFET de potencia se fabrican como dispositivos de baja resistencia a la conexión mediante tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Una amplia gama que abarca tipos compactos, tipos de alta potencia ...
ROHM Semiconductor
Tensión: 50 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B y CMPT5087 son transistores PNP de silicio fabricado por el proceso epitaxial planar, epoxi moldeado en un paquete de montaje en superficie, diseñado para aplicaciones ...
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... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...
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