transistor FET / de efecto de campo / de potencia / silencioso

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Características

  • Tipo:

    FET, de efecto de campo

  • Tecnología:

    de potencia

  • Otras características:

    silencioso

Descripción

Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs

Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido a la excelente combinación de una baja figura de ruido y una mayor linealidad

Los transistores bipolares de RF de Avagos ofrecen un alto rendimiento que está optimizado para un máximo de fT en operación de bajo voltaje, lo que los hace ideales para su uso en aplicaciones alimentadas por batería en los mercados inalámbricos.

Traducción automática  (ver el original en inglés)