Transistor FET de efecto de campode potenciasilencioso

transistor FET
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Características

Tipo
FET, de efecto de campo
Tecnología
de potencia
Otras características
silencioso

Descripción

Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido a la excelente combinación de una baja figura de ruido y una mayor linealidad Los transistores bipolares de RF de Avagos ofrecen un alto rendimiento que está optimizado para un máximo de fT en operación de bajo voltaje, lo que los hace ideales para su uso en aplicaciones alimentadas por batería en los mercados inalámbricos.

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Catálogos

* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.