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Tensión: 60 V
... Transistor NPN de silicio epitaxial Aplicaciones Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes. ...
Corriente: 81 A
Tensión: 1.200 V
... El SCT4018KE es un MOSFET de SiC que contribuye a la miniaturización y al bajo consumo de las aplicaciones. Se trata de un producto de 4ª generación que consigue una baja resistencia de encendido líder en la industria ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 51 A
Tensión: 750 V
... SCT4026DW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 75 A
Tensión: 1.200 V
... SCT4018KW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 31 A
Tensión: 750 V
... SCT4045DW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 1.200 V
... SCT4062KW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 98 A
Tensión: 750 V
... SCT4013DW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 34 A
Tensión: 750 V
... SCT4045DRHR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 31 A
Tensión: 750 V
... SCT4045DW7HR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 26 A
Tensión: 1.200 V
... SCT4062KRHR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 1.200 V
... SCT4062KW7HR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 1.700 V
... desarrollada para adaptarse a las pantallas CRT de alta definición. La nueva serie de productos HD presenta una eficiencia del silicio mejorada que aporta un rendimiento actualizado a la etapa de desviación horizontal. Todas ...
Tensión: 45 V
... DESCRIPCIÓN: Los tipos de SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52 y BCX53 son transistores de silicio PNP fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, ...
Central Semiconductor
Tensión: 50 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B y CMPT5087 son transistores PNP de silicio fabricado por el proceso epitaxial planar, epoxi moldeado en un paquete de montaje en superficie, diseñado ...
Central Semiconductor
Tensión: 60 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL BCV47 es un transistor de silicio NPN Darlington fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para ...
Central Semiconductor
Tensión: 60 V
Central Semiconductor
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal P moldeados con epoxi fabricado en un estuche SOT-23, diseñado para aplicaciones de amplificación de bajo nivel. CÓDIGOS DE MARCADO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Tensión: 30 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal P moldeados con epoxi fabricado en un estuche SOT-23, diseñado para aplicaciones de amplificación de bajo nivel. CÓDIGOS DE MARCADO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Tensión: 40 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPP6027 y CMPP6028 son transistores programables de silicio unijuncionales, fabricados en un paquete SOT-23 de montaje superficial, diseñados para características ...
Central Semiconductor
Corriente: 200 mA
Tensión: 40 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMLM0405 es un único transistor NPN y un diodo de Schottky empaquetado en una caja SOT-563 que ahorra espacio y está diseñada para aplicaciones de propósito general de señales pequeñas ...
Central Semiconductor
Corriente: 1 A
Tensión: 25, 40, 6 V
... buscapersonas, PDAs, PCs portátiles, etc. CARACTERÍSTICAS - Dispositivo de doble chip - Transistor de alta corriente (1.0A) y rectificador Schottky - Transistor NPN de bajo VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A ...
Central Semiconductor
Corriente: 1 A - 5 A
Tensión: 12 V - 400 V
... mercado en el campo de los transistores bipolares. Utilizando su amplia gama de empaquetado interno y tecnología de silicio superior, Diodes está en una posición ideal para satisfacer sus necesidades ...
Diodes Incorporated
Tensión: 50, 100 V
... El FMMT413 es un transistor bipolar planar de silicio NPN optimizado para la operación en modo avalancha. El estrecho control del proceso y el empaquetado de baja inductancia se combinan para producir ...
Diodes Incorporated
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