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Tensión: 60 V
... Transistor NPN de silicio epitaxial Aplicaciones Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes. ...
Corriente: 24 A
Tensión: 1.700 V
... desarrollada para adaptarse a las pantallas CRT de alta definición. La nueva serie de productos HD presenta una eficiencia del silicio mejorada que aporta un rendimiento actualizado a la etapa de desviación horizontal. Todas las características TECNOLOGÍA ...
Corriente: 81 A
Tensión: 1.200 V
... El SCT4018KE es un MOSFET de SiC que contribuye a la miniaturización y al bajo consumo de las aplicaciones. Se trata de un producto de 4ª generación que consigue una baja resistencia de encendido líder en la industria sin sacrificar el ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 51 A
Tensión: 750 V
... SCT4026DW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 75 A
Tensión: 1.200 V
... SCT4018KW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 31 A
Tensión: 750 V
... SCT4045DW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 1.200 V
... SCT4062KW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 98 A
Tensión: 750 V
... SCT4013DW7 es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 34 A
Tensión: 750 V
... SCT4045DRHR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 31 A
Tensión: 750 V
... SCT4045DW7HR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 26 A
Tensión: 1.200 V
... SCT4062KRHR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 1.200 V
... SCT4062KW7HR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación. Ventajas del MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 1 A - 5 A
Tensión: 12 V - 400 V
... mercado en el campo de los transistores bipolares. Utilizando su amplia gama de empaquetado interno y tecnología de silicio superior, Diodes está en una posición ideal para satisfacer sus necesidades de aplicación de ...
Diodes Incorporated
Tensión: 50, 100 V
... El FMMT413 es un transistor bipolar planar de silicio NPN optimizado para la operación en modo avalancha. El estrecho control del proceso y el empaquetado de baja inductancia se combinan para producir pulsos de alta corriente ...
Diodes Incorporated
Tensión: 45 V
... Los tipos BCX51, BCX52 y BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son transistores de silicio PNP fabricados mediante el proceso planar epitaxial, moldeados con epoxi en un encapsulado de montaje superficial, diseñados para aplicaciones ...
Central Semiconductor
Tensión: 60 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL BCV47 es un transistor de silicio NPN Darlington fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones que ...
Central Semiconductor
Tensión: 60, 80 V
... El CMLT3820G de CENTRAL SEMICONDUCTOR es un transistor NPN de muy bajo VCE(SAT), diseñado para aplicaciones donde el tamaño pequeño y la eficiencia son los requisitos principales. Empaquetado en un encapsulado de montaje superficial SOT-563 ...
Central Semiconductor
Corriente: 50 mA
Tensión: 30 V
... Los CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal P moldeados en epoxi fabricados en caja SOT-23, diseñados para aplicaciones de amplificación de bajo nivel. CÓDIGOS DE MARCADO: CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X CMPFJ177: 6Y ...
Central Semiconductor
Corriente: 5 A
Tensión: 40 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPP6027 y CMPP6028 son transistores programables de silicio unijuncionales, fabricados en un paquete SOT-23 de montaje superficial, diseñados para características ajustables (programables) ...
Central Semiconductor
Corriente: 200 mA
Tensión: 40, 60 V
... El CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0405 es un único transistor NPN y diodo Schottky empaquetado en una caja SOT-563 que ahorra espacio y diseñado para aplicaciones de propósito general de pequeña señal donde el tamaño y la eficiencia operativa ...
Central Semiconductor
Corriente: 1 A
Tensión: 25, 40, 6 V
... buscapersonas, PDA, ordenadores portátiles, etc. CARACTERÍSTICAS - Dispositivo de doble chip - Transistor de alta corriente (1,0 A) y rectificador Schottky - Transistor NPN de bajo VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A MAX) - Rectificador ...
Central Semiconductor
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