Transistor NPN CTLM1034-M832D

de potenciade siliciodiodo Schottky

El CTLM1034-832D de CENTRAL SEMICONDUCTOR consiste en un transistor NPN de bajo VCE(SAT) y un rectificador Schottky de bajo VF. Empaquetado en una pequeña caja de montaje superficial de 3x2mm, térmicamente eficiente y sin plomo, está diseñado para aplicaciones en las que el tamaño pequeño, la eficiencia operativa y el bajo consumo de energía son los requisitos principales. Debido a su diseño de encapsulado sin plomo, este dispositivo es capaz de disipar hasta 4 veces la potencia de dispositivos similares en encapsulados de montaje superficial de tamaño comparable. CÓDIGO DE MARCADO: CFC APLICACIONES - Circuitos de conmutación - Convertidores CC / CC - Retroiluminación LCD - Aplicaciones de equipos portátiles alimentados por batería, como teléfonos móviles, cámaras digitales, buscapersonas, PDA, ordenadores portátiles, etc. CARACTERÍSTICAS - Dispositivo de doble chip - Transistor de alta corriente (1,0 A) y rectificador Schottky - Transistor NPN de bajo VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A MAX) - Rectificador Schottky de baja VF (550mV @ 1.0A MAX) - Alta relación potencia/huella de 275mW por mm2 (disipación de potencia del encapsulado/área de superficie del encapsulado) - Encapsulado de montaje superficial sin plomo TLM 3x2 mm de tamaño reducido - Dispositivo complementario: CTLM1074-M832D