Sistema de prueba de impedancia FTI-1000 Wafer HV

de factor de capacidadpara investigación y desarrollopara la industria electrónica

Resumen del producto El FTI‑1000 Wafer HV es un sistema ATE a nivel wafer diseñado para pruebas de alta cobertura de dispositivos discretos de potencia y tecnologías wide‑bandgap. La variante Wafer HV ofrece fuentes DC y AC de alta tensión y está pensada para aplicaciones de probe single‑site con requisitos de hasta 6 kV DC y 5,5 kV AC.

Por qué elegirlo

• Configuración flexible — Arquitectura modular Tester‑per‑Channel Board que permite recursos independientes y expansión escalable
• Cobertura eléctrica completa — Soporta pruebas paramétricas DC y AC necesarias para caracterizar MOSFETs y dispositivos de potencia
• Control por software accesible — FTI Studio facilita el bring‑up de probe‑card, el desarrollo de programas de prueba y la depuración para equipos de ingeniería y producción

Descripción detallada El FTI‑1000 cubre la caracterización de ingeniería y el wafer sort de alto volumen con recursos de prueba DC y AC independientes capaces de medir parámetros clave de MOSFET: características DC, ΔVsd, conmutación inductiva (UIL/UIS/CIS), carga de puerta y resistencia de puerta. La arquitectura modular basada en USB permite una expansión sencilla y una partición flexible de recursos para flujos de trabajo probe single‑site y multisite. El sistema se integra con wafer probers automáticos e interfaces de probe‑card sin depender de una plataforma mecánica específica, apoyando desarrollo de procesos, caracterización temprana y wafer sort en producción.

Características / Configuraciones

• Variantes: Wafer HV (alta tensión) y Wafer MV (media tensión)
• Número de sitios de prueba — Wafer HV: 1; Wafer MV: hasta 16
• Pruebas paramétricas DC — Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, etc.
• Mediciones de puerta — Rg, Cg, Qg; opciones Rg seleccionables/enchufables (0, 10, 25, 50 Ω y R enchufable por el usuario)
• Fuentes AC — Wafer HV: 5,5 kV AC; Wafer MV: 1,2 kV AC
• Corriente de conmutación AC — Wafer HV: hasta 200 A; Wafer MV: hasta 100 A
• Energía de avalancha — >10 J (ambas variantes)
• Opciones de inductancia de carga — inductores discretos enchufables o caja de inductores seleccionable

Especificaciones técnicas

• Familia de modelo: FTI‑1000 Wafer
• Aplicación principal: Pruebas wafer‑level para dispositivos discretos de potencia y componentes wide‑bandgap
• Arquitectura: Tester‑per‑Channel Board modular, framework USB; escalable para probe single‑site y multisite
• Software: FTI Studio — bring‑up de probe‑card, desarrollo de programas de prueba, captura de formas de onda, generación automática de data‑sheets, schmoo plotting, análisis PAT AEC‑Q001 Rev. C
• Tensión fuente DC — Wafer HV: 6 kV; Wafer MV: 1,2 kV
• Rango de corriente de accionamiento — Wafer HV: desde 10 mA; Wafer MV: desde 25 mA
• Corriente de conmutación pico — Wafer HV: hasta 200 A; Wafer MV: hasta 100 A
• IO digitales: Opción para 8 canales digitales independientes (IC Channel Board)
• Opciones enchufables: extensiones de alta tensión, módulos de pulso de alta corriente, digitizadores, medición de Rg basada en LCR
• Dimensiones físicas: Sistema 541 × 345 × 206 mm; fuente de alimentación 345 × 176 × 103 mm
• Sectores previstos: Automoción, industrial y dispositivos wide‑bandgap para desarrollo y producción