Máquina de deposición PVD OPT-E

de película finade vacíoóptica

Resumen
OPT-E es un sistema de recubrimiento óptico por haz de electrones para depositar películas finas ópticas y funcionales sobre vidrio, cuarzo, obleas de silicio y cerámicas. Las aplicaciones típicas incluyen vidrio 3D para móviles, lentes ópticas de precisión y obleas semiconductoras. El sistema integra un cañón de electrones de deflexión con un crisol de cobre refrigerado por agua y admite monitorización cristalina y óptica para el control preciso de multicapa. Hay opciones configurables de fuente iónica para mejorar la densidad y la adherencia del film.

Beneficios clave

• Cañón de electrones de deflexión con crisol de cobre refrigerado para la evaporación de metales de alto punto de fusión y cerámicas óxidas
• Monitorización cristalina y óptica para control preciso de espesor y espectro
• Opciones de deposición asistida por iones (RF, cátodo hueco, filamento Hall) para aumentar densidad y adherencia
• Portadores en cúpula o planetarios que permiten procesos multicapa continuos (recubrimientos AR, HR, filtros)

Características

• Fuente de evaporación por haz de electrones
• Sistemas de monitorización cristalina y óptica para control multicapa
• Tipos de fuente iónica configurables: RF, cátodo hueco, filamento Hall
• Portapiezas: cúpula integrada o disco planetario de 4 ejes; revolución o rotación planetaria con regulación de velocidad sin escalones y frecuencia variable
• Interfaz táctil y automatización PLC

Parámetros del producto
Modelo: OPT-E
Tecnología de recubrimiento: Evaporación por haz de electrones
Principio de funcionamiento: Depósito físico en fase vapor mediante evaporación por haz de electrones de alta energía
Materiales de sustrato: Vidrio, cuarzo, obleas de silicio, cerámicas
Aplicaciones típicas: Vidrio 3D para móviles, lentes ópticas de precisión, obleas semiconductoras
Tipos de recubrimiento: AR, HR, películas de filtros ópticos, capas electrode/contacto semiconductoras, películas AF
Materiales comunes: SiO2, TiO2, ZrO2, SiO
Fuente de evaporación: Cañón de electrones de deflexión con crisol de cobre refrigerado por agua
Vacío último: 6 × 10⁻⁴ Pa (sin carga, condiciones de sala limpia)
Diámetros de cámara: Ø900 / Ø1100 / Ø1350 / Ø1550 / Ø1800 / Ø2050 / Ø2350 / Ø2700 mm
Altura de cámara: 1500 mm
Portapiezas: Portapiezas con forma de cúpula / disco planetario plano
Especificación del portapiezas: Cúpula integrada / disco planetario 4 ejes

Especificaciones técnicas

• Modelo: OPT-E
• Método de recubrimiento: Evaporación por haz de electrones (cañón de electrones de deflexión + crisol de cobre refrigerado)
• Monitorización: Monitorización cristalina y óptica para control de espesor y longitud de onda
• Asistencia iónica: Opciones configurables RF, cátodo hueco o filamento Hall
• Sustratos compatibles: Vidrio, cuarzo, obleas de silicio, cerámicas
• Recubrimientos compatibles: AR, HR, filtros ópticos, capas electrode/contacto semiconductoras, AF
• Materiales comunes: SiO2, TiO2, ZrO2, SiO
• Rendimiento de vacío: hasta 6 × 10⁻⁴ Pa (sin carga, condiciones de sala limpia)
• Tamaños de cámara: diámetros Ø900–Ø2700 mm; altura 1500 mm
• Portapiezas: cúpula o planetario (cúpula integrada o disco planetario 4 ejes), control de velocidad de frecuencia variable
• Control: Interfaz táctil y automatización PLC