Transistor IGBT 5SN seriesde potenciade conmutación
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de potencia, de conmutación
- Corriente
Mín.: 150 A
Máx.: 3.600 A
- Tensión
1.200 V, 1.700 V, 3.300 V, 4.500 V, 6.500 V
Descripción
Los módulos de energía IGBT de Hitachi Energy se encuentran disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos de diodos duales e IGBT de interruptor chopper de patas de fase simple/dual. Los módulos HiPak IGBT de alta potencia tienen baja pérdida combinada con un rendimiento de conmutación suave y un área de operaciones segura que bate récords. Los nuevos módulos IGBT de media potencia y conmutación rápida 62Pak y LoPak ofrecen las pérdidas de conmutación más bajas, un funcionamiento pleno a 175 °C con área de operaciones segura en toda la superficie y un paquete estándar que permite el reemplazo directo.
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