Transistores IGBT

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transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT

... Características: Fácil paralelismo gracias al coeficiente de temperatura positiva de la tensión de estado El diseño robusto de eXtreme-light Punch Through (XPT™) da como resultado: - de cortocircuito con capacidad para 10µs. - carga ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Tensión: 1.200 V
Corriente: 600 A

... módulos IGBT Littelfuse ofrecen alta eficiencia y velocidades de conmutación rápidas de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizado para aplicaciones de control de potencia, ...

transistor IGBT / FS-IGBT / IGBT en trinchera / de conmutación
transistor IGBT
RG series

Tensión: 600, 650 V
Corriente: 4 A - 80 A

... Los productos de ROHM se realizan con baja Vce(sat) y baja pérdida de conmutación por la tecnología de compuertas de zanja y obleas delgadas de ROHM. ...

transistor IGBT / de conmutación / para las técnicas automóviles / de encendido
transistor IGBT

... Los IGBTs de ignición de ROHM para Automoción son productos de alta fiabilidad que logran una baja Vce(sat) y una alta energía de avalancha. Características: Bajo voltaje de saturación del emisor del colector Alta energía de conmutación ...

transistor IGBT / de potencia / de conmutación
transistor IGBT
IKP28N65ES5

Tensión: 650 V
Corriente: 38 A

... El 650 V, 28 A de conmutación dura TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT en un paquete de tamaño reducido TO-220 se dirige a aplicaciones que cambian entre 10 kHz y 40 kHz para ofrecer una alta densidad de corriente, alta eficiencia, ...

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Infineon Technologies - Sensors
transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT

... Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Renesas se caracterizan tanto por su bajo voltaje de saturación como por su rápida conmutación a través de la tecnología de obleas delgadas. Las ...

módulo de transistor IGBT / de potencia
módulo de transistor IGBT

Tensión: 1.200 V
Corriente: 10, 25 A

... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
módulo de transistor IGBT / de potencia
módulo de transistor IGBT
GTS40FB120T5HB

Tensión: 1.200 V
Corriente: 40 A

... -Circuito Corto Nominal>10jjs -Bajo voltaje de saturación: Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A , Tc=25'C -Pérdida de conmutación baja -100% RBSOA Probado (2*lc>>) -Baja inductancia de dispersión -Libre de plomo, conforme a los requisitos de ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT
RGW25N135F1A

Tensión: 1.350 V
Corriente: 25 A

... Los IGBTs de Rongtech Field Stop Trench ofrecen bajas pérdidas de conmutación, alta eficiencia energética y alta resistencia a las avalanchas para aplicaciones de conmutación suave como calentamiento inductivo, horno de microondas, etc. CARACTERÍSTICAS -Alta ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
STGIP series

... Los módulos inteligentes de potencia SLLIMM pertenecen a la familia de los IPMs que permiten la combinación de chips de silicio optimizados e incorporan 3 bloques inversores principales: etapa de potencia (IGBTs robustos de cortocircuito ...

transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT
FG, ISL9 series

Tensión: 250, 500 V
Corriente: 10, 43 A

... FAIRCHILD presenta su nueva línea de encendido automotriz con IGBT. Está especialmente diseñado para tener la mayor densidad de energía de pinza de todos los dispositivos del mercado y un bajo voltaje de saturación. Proporciona ...

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Fairchild Semiconductor
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
SK 9 BGD 065 ET

... nuevos diseños ViviendaSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBxHHH)55x31x12 Paquete SwitchesSix VCES en V600 ICnom en A6 TecnologíaNPT IGBT (Ultrarrápido) ...

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SEMIKRON
transistor IGBT / de conmutación
transistor IGBT
NG, TI series

Tensión: 1,55 V - 4 V

... Transistores bipolares aislados (IGBTs) para encendido electrónico, flash, unidad motriz y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente. ...

módulo de transistor IGBT / de conmutación
módulo de transistor IGBT

Tensión: 600, 1.200 V
Corriente: 3,9 A - 50 A

... CARACTERÍSTICAS - Puente rectificador de entrada - Etapa PFC con warp 2 IGBT y FRED Pt® diodo hiperrápido - Diseño de inductancia de dispersión muy baja para una alta operación de velocidad - Termistor integrado - Placa ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
TIM series

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
600V, 800A

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QC962-8A

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QP12W05S-37