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Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía y capacidad de ...
Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V
... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control de potencia, Littelfuse ...
Corriente: 28 A
Tensión: 650 V
... El IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de conmutación dura en un encapsulado TO-220 de tamaño reducido se dirige a aplicaciones que conmutan entre 10 kHz y 40 kHz para ofrecer alta densidad de corriente, alta eficiencia, ciclos de comercialización ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de energía IGBT de Hitachi Energy se encuentran disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos de diodos duales e IGBT de interruptor chopper de patas de fase simple/dual. Los módulos HiPak IGBT ...
Corriente: 800 A
Tensión: 1.200 V
... El NXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, lo que permite a los ...
Onsemi
Corriente: 8 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de tensión de conexión ...
STMicroelectronics
Corriente: 50 A
Tensión: 650 V
... La serie RGWxx65C es un IGBT de 650 V con un diodo de barrera schottky de SiC incorporado, que reduce la pérdida de conmutación en el encendido. Se trata de un producto que cumple la norma AEC-Q101. Puede utilizarse con confianza incluso ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V
... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la ...
... disposición de los pines del zócalo, también puede utilizarse para la evaluación de semiconductores de potencia como IPM e IGBT. Posibilidad de medición Kelvin Capaz de seleccionar las especificaciones de cableado Soporta el entorno ...
JC CHERRY INC.
Corriente: 100 mA
Tensión: 45, 30, 65 mV
... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales Conmutación Amplificación Grado comercial / industrial Sufijo -Q: Conforme a AEC-Q101 *) Sufijo -AQ: en cualificación AEC-Q101 *) Características Propósito general Tres grupos de ganancia de corriente Conforme ...
Diotec
Corriente: 150 A
Tensión: 600 V
... 600V. Interruptores - de medio puente. Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar que facilita la integración del dispositivo en los equipos existentes. Los módulos IGBT ( Transistor ...
Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa base de cobre ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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