Transistor IGBT XPT™ series

de potencia

Los interruptores de estado sólido de mayor rendimiento presentan una baja resistencia térmica, una corriente de cola reducida, una baja pérdida de energía y capacidad de conmutación a alta velocidad. Los IGBT «eXtreme light punch through» (XPT) de Littelfuse cumplen con todos estos requisitos. Configurados como IGBTs planos o de zanja, estos transistores bipolares de puerta aislada de alta tensión pueden utilizarse en paralelo. Esto permite ahorrar costes y simplifica el diseño del circuito de control de la puerta. La instalación de diodos de recuperación rápida junto con nuestros IGBTs XPT garantiza una conmutación más suave y reduce significativamente las interferencias electromagnéticas. Características Disponibles con tensiones nominales continuas (VCES) de 600 V a 4,5 kV Disponibles con corrientes nominales típicas de 9 A a 94 A Tensiones de saturación generalmente inferiores a 4 V Baja resistencia entre la carcasa y la unión (p. ej., 92 mK/W, 4,4 K/W) Ventajas El coeficiente de temperatura positivo de la tensión en estado activo facilita la conexión en paralelo Bajos requisitos de corriente de puerta Disponibles en encapsulados con diodos de recuperación rápida Encapsulados conformes a normas internacionales