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- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD6-16avalanchaPINchip on carrier
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Características
- Especificaciones
- InGaAs, avalancha
- Montaje
- PIN, chip on carrier
Descripción
Introducción
Este chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) de 25Gbps es un tipo de estructura de electrodo de señal de tierra (GS), con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ16μm. Las características de este producto son la alta multiplicación, la baja capacitancia, el alto ancho de banda, el bajo coeficiente de temperatura y la excelente fiabilidad, la aplicación en 25G EPON, 5G Wireless y 100GBASE-ER4.
Características
Φ16μm de área activa.
Alta multiplicación.
Alta tasa de datos: 25Gbps por encima.
Baja capacitancia.
Bajo coeficiente de temperatura.
Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
pruebas e inspecciones al 100%.
Aplicaciones
pON de 25Gbps
100GBASE-ER4（ER4-lite）
5G inalámbrico.
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Catálogos
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