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Microchip fotodiodo XSJ-10-D6-20
InGaAsInP

Microchip fotodiodo - XSJ-10-D6-20 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
Microchip fotodiodo - XSJ-10-D6-20 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
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Características

Especificaciones
fotodiodo, InP, InGaAs

Descripción

Este chip fotodiodo 10Gbps de alta velocidad de datos tiene una estructura PIN InGaAs/InP y está iluminado en la parte superior. Las características son alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño del área activa es Φ50μm, ánodo y cátodo almohadilla de unión en la parte superior para TO-CAN paquete de alambre de unión. Aplicación en receptor de 10Gbps. 1. Área activa de Φ20μm. 2. Estructura de almohadilla de unión tierra-señal-tierra (GSG) en la parte superior. 3. Baja corriente oscura, baja capacitancia, alta responsabilidad. 4. Velocidad de datos de hasta 25 Gbps. 5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 6. 100% de pruebas e inspección. 7. Conformidad con RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones 1. 100 Gigabit Ethernet 2. enlaces analógicos de 20 GHz 3. Pruebas y mediciones de alta velocidad.

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.