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Microchip fotodiodo XSJ-10-D5-50A
InGaAsInP

Microchip fotodiodo - XSJ-10-D5-50A - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
Microchip fotodiodo - XSJ-10-D5-50A - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
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Características

Especificaciones
fotodiodo, InP, InGaAs

Descripción

Este chip fotodiodo 10Gbps de alta velocidad de datos tiene una estructura PIN InGaAs/InP y está iluminado en la parte superior. Las características son alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño del área activa es Φ50μm, ánodo y cátodo almohadilla de unión en la parte superior para TO-CAN paquete de alambre de unión. Aplicación en receptor de 10Gbps. 1. Área activa de Φ50μm. 2. Baja capacitancia. 3. Alta responsabilidad. 4. Baja corriente oscura. 5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 6. Velocidad de datos de hasta 10 Gbps. 7. 100% de pruebas e inspección. Aplicaciones 1. Redes ópticas de larga distancia. 2. ethernet 10G. 3. Datacom de fibra óptica. 5. WDM, ATM.

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