Matriz de fotodiodos PA1001
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Descripción
El fotosensor consta de fotodiodos de 6 chips fabricados con tecnología planar. Los fotodiodos están pasivados con nitruro de silicio, que actúa como capa antirreflectante. A continuación, se adhieren a la placa de circuito impreso y se protegen con pegamento epoxi transparente. El Array puede utilizarse en modo fotovoltaico o fotoconductor.
Características
Alta sensibilidad
Baja capacitancia
Adecuado para SMT
Alta fiabilidad
Longitud de onda máxima a 830 nm
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Catálogos
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IMTS 2026
14-19 sept. 2026 Chicago (USA - Illinois) Hall North Level 2 - Stand 211704
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