Módulo de potencia 1700V IGBT E7

Los dispositivos de 1700V reciben un aumento de la densidad de potencia con el IGBT E7. En comparación con el ampliamente utilizado IGBT4 de 1700 V, el nuevo IGBT E7 ofrece la misma corriente nominal con una superficie de chip muy reducida. Además de este extraordinario salto en la densidad de potencia, la tensión de avance también se ha reducido hasta en un 20%, lo que permite reducir las pérdidas de conducción y aumentar la eficiencia. Para ofrecer los nuevos IGBT de la Generación 7 en un encapsulado industrial estándar, SEMIKRON presenta el IGBT E7 de 1700 V en la carcasa SEMiX 3 Press-Fit. Con una amplia cartera que alcanza hasta 900A de corriente nominal, SEMIKRON ofrece una densidad de potencia de primera clase con la última tecnología. Mayor densidad de corriente gracias al IGBT E7 Hasta un 20% menos de VCE,sat en comparación con el IGBT4 de 1700V Carcasa industrial estándar de ajuste a presión Cartera de productos desde 220A hasta 900A Alta densidad de potencia gracias al tamaño reducido del chip Mayor eficiencia con un VCE,sat más bajo Carcasa industrial estándar de ajuste a presión Optimizado para aplicaciones de accionamiento de motores