PresentaciónJoystick magnético H60JHK para control en 2 ejes con sensor de efecto Hall y retorno por muelle.
Características- Joystick 2D (X y Y) con capacidad 3D indicada
- Opción con potenciómetro incorporado
- Opción sensor de efecto Hall (magnético)
- Retorno al centro por muelle con guiado
Especificaciones mecánicas generalesRango de control del mando (X/Y): aprox. ±20° desde la posición central. Fuerza de actuación: dispositivo de retorno por muelle con sensación direccional: aprox. 3 N–4,5 N (300–450 gf). Temperatura de funcionamiento: -20℃ a +60℃. Vibración: 10–55 Hz, 98 m/s². Choque: 294 m/s². Vida mecánica estimada: aprox. 5.000.000 operaciones. Masa: aprox. 300 g.
Especificaciones eléctricas generalesTipo: IC efecto Hall con elemento resistivo incorporado (opción potenciómetro). Tensión aplicada: 5 V ±10%. Salida efectiva: 0,5 V–4,5 V. Ángulo de giro eléctrico: aprox. ±20°. Tolerancia de linealidad independiente: ±3%. Resistencia de carga: > 10 kΩ. Resistencia dieléctrica: 500 V A.C., 1 minuto. Resistencia de aislamiento: > 1000 MΩ (500 V D.C.). EMS: 100 V/m (80 MHz–1 GHz, 1 kHz seno 80% AM). ESD: ±8 kV contacto / ±15 kV aire (IEC 61000-4-2).
Opciones y personalizaciónOtras opciones mecánicas: variantes para montaje en panel, formas de empuñadura personalizadas. Otras opciones eléctricas: microinterruptor integrado, variantes de interruptor en la empuñadura.
Características / especificaciones técnicas- Modelo: H60JHK
- Tipo de producto: joystick magnético (efecto Hall; opción potenciómetro)
- Tipo de coordenadas: 2D (X y Y); capacidad 3D indicada
- Mecanismo de retorno: retorno al centro por muelle
- Ángulo de funcionamiento: aprox. ±20° (mecánico y eléctrico)
- Fuerza de funcionamiento: aprox. 3 N–4,5 N (300–450 gf)
- Temperatura de funcionamiento: -20℃ a +60℃
- Vida mecánica: aprox. 5.000.000 operaciones
- Masa: aprox. 300 g
- Tensión de alimentación: 5 V ±10%
- Rango de salida: 0,5 V–4,5 V
- Tolerancia de linealidad: ±3%
- Resistencia de carga: > 10 kΩ
- Resistencia dieléctrica: 500 V A.C., 1 min
- Resistencia de aislamiento: > 1000 MΩ (500 V D.C.)
- EMS / ESD: EMS 100 V/m (80 MHz–1 GHz), ESD ±8 kV contacto / ±15 kV aire