Sustrato nitruro de aluminio

Resumen
Submount de tres capas Cu-AlN-Cu que actúa como disipador térmico para módulos de diodo láser (LD) de alta potencia. La estructura Cu/AlN/Cu ofrece alta conductividad térmica junto con aislamiento eléctrico. El control del espesor de la capa de Cu y de las capas permite ajustar el coeficiente de expansión térmica (CTE) para emparejarlo con el chip LD, favoreciendo mayor potencia y vida útil. No se requiere pullback en las zonas de borde críticas, lo que aumenta la libertad de diseño del paquete y la óptica.

Características principales

• Material compuesto Cu + AlN que combina conductividad térmica y aislamiento eléctrico
• Ajuste de CTE con la LD mediante control de espesores de Cu y AlN
• El control de espesores permite adaptar el CTE a los materiales LD específicos
• Adecuado para configuraciones LD multi-emisor
• No requiere pullback en las áreas de borde críticas
• Facilita el montaje P-side-down y diseños compactos
• Disponibilidad de deposición por vapor de soldadura AuSn / AuGe
• Bordes afilados para alineación precisa del LD
• Radio de arista < 20 μm

Datos comparativos (referencia)
Unidad / Cu-AlN-Cu / AlN / CuW (10/20)
Característica material / − / Aislante / Conductivo
Conductividad térmica (W/m·K) / 190–250※ / 170 / 180/200
CTE (ppm/°C) / 6–10※ / 4.6 / 6.5/8.3
Resistencia eléctrica (Ω·m) / − / − / 5.3/4.0 (×10-8)
Tensión de trabajo (V) / <200 / <200 / NA
Permisividad relativa (@1 MHz) / − / 9 / NA
Factor de disipación (Tan δ) / − / 5×10-4 / NA
(※Controlable mediante diseño)

Aplicaciones

• Lasers industriales: soldadura, corte, marcado, tratamiento de superficies (recocido), etc.
• Lasers médicos: oftalmología, depilación, sistemas endoscópicos
• Equipos para semiconductores: dispositivos de potencia y herramientas de procesado láser
• Equipos digitales: impresoras láser y multifunción

Especificaciones técnicas

• Tipo de producto: Submount aislante de tres capas Cu-AlN-Cu (Cu / AlN / Cu)
• Función: Disipador térmico para módulos LD de alta potencia, combinando conductividad térmica y aislamiento eléctrico
• Conductividad térmica: 190–250 W/m·K (Cu-AlN-Cu, controlable por diseño)
• CTE: 6–10 ppm/°C (controlable por diseño)
• Resistencia eléctrica: no especificada para Cu-AlN-Cu (valores conductivos indicados para CuW)
• Tensión de trabajo: <200 V
• Permisividad relativa (@1 MHz): 9 (referencia)
• Factor de disipación (Tan δ): 5×10-4 (referencia)
• Soldadura: Deposición por vapor de AuSn / AuGe disponible
• Calidad de arista: Radio de arista < 20 μm para alineación precisa del LD
• Notas de diseño: Control del espesor de Cu para igualar al LD; no requiere pullback en áreas críticas; espesores Cu/AlN ajustables para afinar el CTE
• Recomendado para: LD multi-emisor y configuraciones P-side-down