Sistema de medición efecto Hall DX-1000T

de concentricidadresistividadpara semiconductor

Este sistema de instrumento consta de: electroimán, fuente de alimentación electroimán, fuente de corriente constante de alta precisión voltímetro de alta precisión, medidor de Gauss, soporte de muestra de efecto Hall, muestra estándar, Dewar de alta y baja temperatura, controlador de temperatura y software del sistema. Materiales comprobables: - Materiales semiconductores: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe y materiales de ferrita, etc.; - Materiales de baja impedancia: grafeno, metales, óxidos transparentes, materiales semiconductores débilmente magnéticos, materiales TMR, etc.; - Materiales de alta resistencia: GaAs semiaislantes, GaN, CdTe, etc. Indicadores técnicos - Campo magnético: 10mm pitch es 2T, 30mm pitch es 1T; - Corriente de la muestra: 0.05uA ~ 50mA (ajuste 0.1nA); - Voltaje de medición: 0.1uV ~ 30V; - Proporcionar varios materiales estándar de prueba, silicio y arseniuro de galio de varios niveles (diferente sensibilidad y precisión); - Resolución mínima: 0.1GS; - Rango de campo magnético: 0-1T; - Cooperar con el medidor de gauss o la placa de adquisición digital para comunicarse con la computadora; - Medición de curva de I-V y curva de I-R, etc.; - Cambie las curvas de parámetros como el coeficiente de Hall y la concentración de portadora con la temperatura; - Rango de resistividad: 10-7.~ 1012Ohm * cm; - Rango de resistencia: 10 m Ohms ~ 6MOhms; - Concentración de portador: 103~ 1023Cm-3; - Movilidad: 0,1 ~ 108Cm2/Volt * seg; - Ajuste de la temperatura 0,1 K; - Zona de temperatura: 77K-470K; - Pruebas totalmente automatizadas, procesamiento de una clave;