Sustrato de óxido de aluminio

de cerámicanitruro de aluminio

Resumen del producto
Nuestros sustratos de nitruro de silicio (Si₃N₄, SN-90) combinan alta conductividad térmica, elevada resistencia mecánica y excelente tenacidad a la fractura para ofrecer rendimiento estable en aplicaciones de electrónica de alta potencia y gestión térmica. Su coeficiente de expansión térmica es cercano al del silicio y proporcionan buena resistencia al choque térmico. Superficies mecanizadas con precisión y especificaciones personalizables los hacen adecuados para módulos IGBT, disipadores de alta potencia y módulos inalámbricos avanzados.

Características

• Alta conductividad térmica (≥85 W/(m·K) a 25℃)
• Coeficiente de expansión térmica cercano a oblea de silicio (2–4 ×10⁻⁶ mm/℃, 25–500℃)
• Alta resistencia a la flexión (≥750 MPa) y dureza Vickers (≥14 GPa)

Aplicaciones

• Módulos de potencia IGBT de alta potencia
• Disipadores y spreaders térmicos de alta potencia
• Módulos inalámbricos avanzados y componentes RF

Tabla de propiedades del material
Project | Test conditions | Unit | Si₃N₄ (SN-90)
Material | - | - | Si₃N₄
Appearance | - | - | grey
Surface roughness | Ra | μm | 0.2–0.75
Density | - | g/cm3 | ≥3.2
Physical properties - Bending strength | 3-point bending resistance | MPa | ≥750
Vickers hardness | Load 4.9 | GPa | ≥14
Water absorption | - | % | 0
Thermal performance - Thermal conductivity | 25℃ | W/(m·K) | ≥85
Linear thermal expansion coefficient | 25–500℃ | ×10^-6 mm/℃ | 2–4
Thermal shock resistance | 800℃ | Time | ≥10
Specific heat | - | J/(kg·K) | 680
Electrical properties - Dielectric constant | 1MHz/25℃ | - | 7–8
Dielectric loss | 1MHz/25℃ | ×10^-4 | ≤4
Volume resistivity | 25℃ | Ω·cm | > 10^14
Breakdown voltage | - | kV/mm | > 15

Especificaciones y dimensiones
Material | Unit | Al₂O₃ | ZTA | AlN | Si₃N₄
Effective dimensions (A, B) | mm | 50.8–190 | 50.8–190 | 50.8–190 | 138 × 190
Thickness (T) | mm | 0.25–1.5 | 0.25–1.5 | 0.25–1.0 | 0.25, 0.32
Thickness tolerance | mm | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm)
Warpage (C) | mm | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.3%
Surface roughness | μm | 0.2–0.6 | 0.2–0.5 | 0.2–0.75 | 0.2–0.75
Nota: tamaño, espesor y rugosidad pueden personalizarse

Procesamiento

• Corte y perforado por láser
• Molienda y pulido (control de rugosidad)

Tolerancias de mecanizado y acabado superficial
Internal dimension tolerance (Qualified) | ±0.05mm | (Special Grade) ±0.03mm
External dimension tolerance (Qualified) | ±0.15mm | (Special Grade) ±0.1mm
Hole tolerance (φ0.07–0.15mm) (Qualified) | ±0.05mm | (Special Grade) ±0.02mm
Hole tolerance (φ > 0.15mm) (Qualified) | ±0.1mm | (Special Grade) ±0.02mm
Surface roughness (Qualified) - Grinding: 0.3–0.6 μm; Fine grinding: 0.1–0.4 μm; Polishing: ≤0.1 μm
Surface roughness (Special Grade) - Grinding: 0.3–0.5 μm; Fine grinding: 0.1–0.3 μm; Polishing: ≤0.05 μm

Especificaciones técnicas

• Nombre comercial: Silicon Nitride (Si₃N₄) Substrates
• Material: Si₃N₄ (SN-90)
• Apariencia: grey
• Rugosidad de superficie: Ra 0.2–0.75 μm (según proceso)
• Densidad: ≥3.2 g/cm³
• Resistencia a la flexión (3 puntos): ≥750 MPa
• Dureza Vickers (carga 4.9): ≥14 GPa
• Absorción de agua: 0%
• Conductividad térmica (25℃): ≥85 W/(m·K)
• Expansión térmica lineal (25–500℃): 2–4 ×10^-6 mm/℃
• Resistencia al choque térmico (800℃): ≥10
• Calor específico: 680 J/(kg·K)
• Constante dieléctrica (1MHz/25℃): 7–8
• Pérdida dieléctrica (1MHz/25℃): ≤4 ×10^-4
• Resistividad volumétrica (25℃): >10^14 Ω·cm
• Tensión de ruptura: >15 kV/mm
• Tamaño típico Si₃N₄: 138 × 190 mm; espesores típicos: 0,25 mm, 0,32 mm (otros tamaños y espesores personalizables)
• Tolerancia de espesor: ±5% (Min ±0.03 mm)
• Warpage: ≤0.3%
• Procesamiento: corte láser, molienda y pulido; tolerancias disponibles para dimensiones internas/externas y orificios