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Tensión inversa: 650 V
... Menor tiempo de recuperación, lo que permite una conmutación de alta velocidad. CARACTERÍSTICAS: Menor dependencia de la temperatura Posibilidad de conmutación a alta velocidad Alta capacidad de corriente de choque ...
ROHM Semiconductor
Tensión inversa: 650 V
... Menor tiempo de recuperación, lo que permite una conmutación de alta velocidad. CARACTERÍSTICAS: Menor dependencia de la temperatura Posibilidad de conmutación a alta velocidad Alta capacidad de corriente de choque ...
ROHM Semiconductor
Tensión inversa: 650 V
... Menor tiempo de recuperación, lo que permite una conmutación de alta velocidad. CARACTERÍSTICAS: Menor dependencia de la temperatura Posibilidad de conmutación a alta velocidad Alta capacidad de corriente de choque ...
ROHM Semiconductor
Tensión inversa: 1.200 V
... Pérdida de conmutación reducida, lo que permite la conmutación de alta velocidad . (paquete de 2 pines) ・Tiempo de recuperación más corto ・Reducción de la dependencia de la temperatura ・Posibilidad de conmutación a alta velocidad ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 600 V
Tensión inversa: 600 V
... Los diodos de recuperación rápida de ROHM son de ultra alta velocidad, bajo VF, y adecuados para un aumento significativo de la eficiencia de la fuente de alimentación de conmutación, así como la reducción de la pérdida ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 600 V
Tensión inversa: 600 V
... Los diodos de recuperación rápida de ROHM son de ultra alta velocidad, bajo VF, y adecuados para un aumento significativo de la eficiencia de la fuente de alimentación de conmutación, así como la reducción de la pérdida ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 600 V
Tensión inversa: 600 V
... Los diodos de recuperación rápida de ROHM son de ultra alta velocidad, bajo VF, y adecuados para un aumento significativo de la eficiencia de la fuente de alimentación de conmutación, así como la reducción de la pérdida ...
ROHM Semiconductor
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