Máquina de recubrimiento al vacío para la electrónica LTE

para cañón de electrones

Resumen
La LEYBOLD OPTICS LTE series es una solución de evaporación long‑throw diseñada para fabricar estructuras a escala nanométrica y procesos de metalización por lift‑off. Orientada a aplicaciones en semiconductores y I+D, ofrece deposiciones direccionales casi perpendiculares para lograr alta uniformidad en películas patrón.

Ventajas clave

• Calidad de recubrimiento óptima: deposiciones de alta precisión en obleas estructuradas con efecto sombra minimizado para patrones 3D avanzados.
• Servicio y experiencia: respaldo del know‑how de Leybold Optics / Bühler en tecnología de películas finas y servicio mundial.
• Flexibilidad: evaporación de metales y óxidos, compatibilidad con varios tamaños de oblea y alto volumen de material; solución totalmente personalizable.

Características destacadas

• Geometría avanzada de long‑throw con distancia fuente‑cúpula de 1,3 m para mejorar la cobertura y la fidelidad del patrón.
• Cúpula y manejo adaptables para hasta 6 × 150 mm (opción 200 mm bajo petición).
• Combinación de cañón de electrones y fuente de plasma para Plasma‑Impulse Atomic Deposition (PIAD): mejor adherencia y control de espesor.
• Sistema de deposición perpendicular de precisión diseñado para ángulos casi perpendiculares y uniformidad direccional elevada.

Proceso de lift-off / metalización

• Deposición física de vapor (PVD)
• Recubrimiento con fotorresiste
• Deposición de película delgada con patrón
• Lift‑off metálico

Aplicaciones

• Fabricación de semiconductores
• Microelectrónica y optoelectrónica
• I+D y producción piloto que requieren estructuración nanométrica

Servicios y formación
Disponibilidad de instalación, soporte de proceso, mantenimiento y formación de operadores para integrar la serie LTE en entornos de producción y I+D.

Características / especificaciones técnicas

• Familia de productos: LEYBOLD OPTICS LTE series
• Tecnología: evaporación long‑throw (PVD) con soporte cañón de electrones + plasma (PIAD)
• Distancia fuente‑cúpula: 1,3 m
• Capacidad de sustratos: hasta 6 × 150 mm (opción 200 mm bajo petición)
• Tamaños de oblea soportados: 1–6 pulgadas estándar; 8 y 12 pulgadas bajo petición
• Materiales: metales (lift‑off) y óxidos; apto para altos volúmenes de material
• Geometría de deposición: deposición direccional casi perpendicular para minimizar sombras
• Principales aplicaciones: fabricación de semiconductores, micro-/optoelectrónica, I+D