Máquina de deposición ALD ALD 1200

de película finarobotizadaóptica

Descripción General Experimente el sistema de deposición de capas atómicas más innovador para recubrimientos ópticos: el Leybold Optics ALD 1200. Plasma-Enhanced Spatial ALD para películas de doble cara, ultra-uniformes en sustratos de hasta 8x ⌀300 mm. El sistema proporciona recubrimientos ultrafinos, densos y con tensión controlada sobre sustratos 3D microestructurados y curvados, a doble cara en una sola pasada. Con altas velocidades de deposición en 8 sustratos de hasta 300 mm, temperaturas de proceso de 50-230 °C y soluciones de manipulación de obleas totalmente personalizables, combina la mejor conformidad de su clase con un rendimiento y una limpieza de semiconductores. Beneficios clave

• Precisión en todas las superficies: Revestimientos conformados ultrafinos sobre sustratos 3D curvados y nanoestructurados
• Optimizado para un alto rendimiento: La separación espacial de los gases aumenta las tasas de crecimiento; producción de varias obleas en una sola tirada
• A la medida de sus necesidades: Recubrimientos de doble cara sin volteo, reduciendo el tiempo de ciclo y el riesgo de partículas
• Agilidad de materiales: Alta flexibilidad de materiales con utilización eficiente de precursores para un escalado rentable
• Supervisión óptica in situ: Control de bucle cerrado OMS 6000 para pilas multicapa complejas con resultados repetibles: Manejo automatizado de obleas SMIF y FOUP; compatible con SEMI S2/S8; compatible con SECS:GEM

Características destacadas

• Altas velocidades de deposición de hasta 0,5 nm/s en 8 sustratos
• Formatos escalables hasta tamaños de sustrato de 300 mm; no uniformidades < ±1.0% en 300 mm
• Alta conformalidad y revestimientos neutros a la tensión
• Baja temperatura de deposición asistida por plasma < 100°C para sustratos sensibles a la temperatura
• Soporte para hasta 4 precursores diferentes
• Limpieza lista para laboratorio con bajos niveles de partículas adaptada para óptica de precisión y líneas de semiconductores
• Sistema de monitorización óptica in situ OMS 6000

Aplicaciones El ALD 1200 es ideal para aplicaciones que requieren revestimientos ultrauniformes y sin agujeros de alfiler en estructuras complejas o sustratos tridimensionales, como lentes muy curvadas y estructuras con alta relación de aspecto. Las áreas de aplicación típicas incluyen:

• Fabricación de semiconductores (máscaras duras, relleno de zanjas, óxidos de compuerta, encapsulación)
• Óptica de precisión e integración fotónica (PICs, metasuperficies, elementos ópticos difractivos)
• Sensores (sensores de proximidad, imágenes hiperespectrales, LiDAR, CIS)
• Iluminación y visualización (LED, microLED, VCSEL, OLED)
• Ciencias de la vida (microscopía, endoscopia)
• Óptica de consumo (lentes para smartphones y cámaras, gafas AR)

Procesos de recubrimiento

• Filtros
• Espejos
• Recubrimientos AR
• Relleno de fosas
• Recubrimientos de barrera
• Óxidos de puerta

Materiales (ejemplos)

• SiO2 y diversos materiales de óxido
• Grupo de materiales TCO y otros materiales bajo demanda

FAQ - Conviene saber

• ¿Cuándo utilizar ALD? Cuando la calidad óptica, la integridad de la barrera y la uniformidad 3D son críticas. El ALD espacial mejorado por plasma produce películas densas y sin tensiones a bajas temperaturas con un control preciso y repetible de las capas.
• ¿Cómo funciona el ALD espacial? El ALD espacial deposita películas finas mediante la repetición de reacciones superficiales autolimitantes: los precursores se quimisorben en el sustrato, se modifican en la zona de plasma y se depositan capa por capa para lograr un control preciso del espesor y una cobertura conforme.
• Beneficios frente al sputtering/evaporación: ALD proporciona una conformalidad superior, películas sin agujeros de alfiler y control de la tensión en sustratos 3D complejos.

Características / especificaciones técnicas

• Modelo: ALD 1200 (Leybold Optics)
• Método de deposición: Plasma-Enhanced Spatial ALD, asistido por plasma, doble cara en una sola pasada
• Capacidad de sustrato: multi oblea (hasta 8 sustratos)
• Máximo tamaño de sustrato admitido: Ø 300 mm
• Tasa de deposición: hasta 0,5 nm/s en 8 sustratos
• Gama de temperatura del proceso: 50-230°C; opción de baja temperatura asistida por plasma < 100°C para sustratos sensibles a la temperatura
• Uniformidad de espesor: no uniformidades < ±1,0% en 300 mm (típico)
• Precursores: soporte para hasta 4 precursores diferentes
• Control: Monitorización óptica in situ OMS 6000 para el control en bucle cerrado de pilas multicapa
• Limpieza: limpieza lista para la fabricación con bajos niveles de partículas adaptada a la óptica de precisión y las líneas de semiconductores
• Integración: Manipulación automatizada de obleas SMIF y FOUP; compatible con SEMI S2/S8; compatible con SECS:GEM
• Aplicaciones específicas: dispositivos semiconductores, óptica de precisión, integración fotónica, detección, iluminación/pantalla, ciencias de la vida, óptica de consumo