Transistor IGBT de potencia
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de potencia
Descripción
Características:
El ser paralelo a fácil debido al coeficiente positivo de la temperatura del voltaje del en-estado
La extremo-luz rugosa perfora a través resultados del diseño (XPT?) en:
- cortocircuito clasificado para 10µs.
- carga muy baja de la puerta
- EMI baja
- áreas de funcionamiento cuadradas de caja fuerte del diagonal reverso (RBSOA) hasta voltajes de interrupción
Tecnología fina de la oblea combinada con los resultados del diseño del SPT en un VCE bajo competitivo (sentado)
Diodo de SONIC-FRD?
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