Módulo de transistor IGBT

módulo de transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT

Descripción

Pinta IGBTs Características de #: VCES: 300V a 1200V IC de # (90): 2A a 200A Alto aumento de #, conducción baja y pérdidas de la conmutación. Clases: A2, A3, B2, B3, C2 # y C3 A2: C.C. a 10kHz. B2, B3: 15kHz a 40kHz C2: 40kHz a 100kHz # C3: 50kHz -150kHz. Tipos polares de A3-Class IGBT/Diode, gama de la frecuencia media (15KHz-40KHz) # C3-300 V IGBT, pinta de alta velocidad para cambiar 50kHz-150kHz disponible con o sin el diodo ultrarrápido en paralelo

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