Sistema de metrología para semiconductores Therma-Probe®

Los sistemas de metrología de implantes iónicos y recocido Therma-Probe® permiten la supervisión en línea de la dosis de implante para una amplia gama de tecnologías de semiconductores, incluidos los dispositivos de nodo de diseño avanzado y los dispositivos semiconductores compuestos. Los sistemas Therma-Probe 680XP y 780 producen información de proceso crítica sobre la dosis y el perfil del implante iónico, la uniformidad del implante y del recocido, y los daños de fin de gama. Además, los mapas de microuniformidad de alta resolución de los sistemas Therma-Probe proporcionan capacidad de huella digital para el desarrollo de procesos de implante y recocido. Aplicaciones Análisis de ingeniería, Supervisión de procesos en línea, Supervisión de herramientas, Adaptación de herramientas de proceso El sistema de metrología Therma-Probe 680XP admite la supervisión en línea de los procesos de implantación iónica y recocido para dispositivos basados en silicio en los nodos de diseño de 2Xnm/1Xnm. Proporciona cobertura de medición de la matriz completa de energía/dosis y produce micro mapas de alta densidad que pueden revelar firmas de uniformidad de implantación y recocido. El Therma-Probe 680XP produce datos para el control clave de los procesos de implantación y recocido. El sistema de metrología Therma-Probe 780 permite la supervisión en línea de los procesos de implantación iónica y recocido para dispositivos basados en silicio en nodos de diseño <1Xnm. Al proporcionar una detectabilidad de dosis a corto y largo plazo de alto rendimiento, el Therma-Probe 780 permite un control estricto del proceso para una amplia gama de parámetros de procesos críticos, incluyendo dosis, energía y AOI para procesos de implantación, y activación y recuperación de daños para procesos de recocido. Además, el Therma-Probe 780 es compatible con la supervisión de procesos de implante/recocción de iones semiconductores de banda ancha (SiC, GaN, etc.).