Sistema de medición de temperatura EtchTemp™

para oblea

La serie EtchTemp™ de sistemas de medición de temperatura de obleas in situ, disponible en configuraciones de 300 mm y 200 mm, capta los efectos del entorno del proceso de grabado por plasma en obleas de producción en condiciones de proceso reales. El sistema de medición EtchTemp-HD incluye una alta densidad de sensores que permite supervisar la temperatura en toda la oblea, lo que está estrechamente relacionado con el control de la uniformidad del CD en las aplicaciones de grabado de conductores. Al caracterizar las condiciones térmicas que representan fielmente las condiciones de las obleas de producto, el sistema EtchTemp-HD wireless wafer ayuda a los ingenieros de procesos a ajustar las condiciones del proceso de grabado, así como a cualificar, ajustar y verificar las cámaras de grabado por plasma de final de línea. Aplicaciones Desarrollo de procesos, Cualificación de procesos, Supervisión de herramientas de proceso, Cualificación de herramientas de proceso, Adaptación de cámaras, Adaptación de herramientas de proceso Grabado con plasma dieléctrico (EtchTemp), Grabado con plasma conductor (EtchTemp-HD, EtchTemp SE-HD, EtchTemp-SE), Implante iónico | 20-140°C Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de obleas con mandril electrostático (ESC) de zonas múltiples. Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de grabado de obleas por debajo de 20°C Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de grabado de obleas de alta potencia total y alta relación de aspecto (HARC) Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de grabado de obleas de silicio de alta potencia y alta frecuencia Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de obleas de silicio de alta potencia y alta frecuencia,