Descripción generalEl packaging tridimensional a nivel de oblea (WLP) que utiliza vías a través del vidrio (TGV) permite la miniaturización de semiconductores y mejora el rendimiento en alta frecuencia mediante interconexiones metálicas.
Características- Unión anódica con oblea de silicio disponible
- Proceso sin adhesivos que elimina problemas de out-gassing
- Rendimiento en alta frecuencia adecuado para aplicaciones RF
- Baja capacidad parásita en comparación con TSV
- Baja inductancia
- Baja resistencia eléctrica debido a vías metálicas
Adecuado para encapsulado WL-CSP MEMS- Tolerancia de paso (pitch) de vía fina
- Pitch consecutivo ≤ ±20 μm en obleas φ200 mm
- Pitch consecutivo de vías ≤ ±20 μm
- Disponible hasta obleas φ200 mm
Mercados finales / Aplicaciones- AV / Móvil: Conmutadores y relés RF para smartphones, dispositivos portátiles, cámaras digitales, navegación de automóviles; sensores de presión; giroscopios; acelerómetros; sensores de imagen
- Automoción: Sensores de presión; acelerómetros; giroscopios
- Semiconductores: Conmutadores RF‑MEMS; sensores de imagen
- Biotecnología / Médico: Sensores de presión para dispositivos médicos
Especificaciones técnicas- Material: Borofloat 33, SW-YY
- Tamaño de vidrio: ≤ φ200 mm
- Espesor mínimo: 0,3 mm
- Diámetro mínimo de vía: φ0,15 mm
- Tolerancia del diámetro del orificio: ±0,02 mm
- Relación máxima profundidad:diámetro: 1 : 5
- Material de vía: Si, W (tungsteno)
- Estanqueidad de vía (prueba de fuga He): 1×10^-9 Pa·m^3/s
- Separación vía–vidrio (Estándar): 0 μm–3,0 μm
- Separación vía–vidrio (Opción 1): 0 μm–1,0 μm
- Separación vía–vidrio (Opción 2): -3,0 μm–0 μm
- Forma de vía: Recta
- Procesado de cavidad: Disponible
- Metalización: Disponible
- Procesado de bump: Disponible