MOSFET no especificado SIR5402DP

MOSFET no especificado - SIR5402DP - VISHAY
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Descripción

Resumen
MOSFET de canal N 40 V (D-S) en tecnología TrenchFET® Gen IV diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia y convertidores/inversores.

Características principales
  • TrenchFET® Gen IV nivel estándar
  • Diseño High Vth para reducir ruido y mejorar la estabilidad de la puerta
  • Relación Qgd / Qgs optimizada para conmutación eficiente


Documentación
  • Ficha técnica — MOSFET de canal N 40 V (D-S) (SIR5402DP)
  • Información de marcado — detalles de marcado para variantes PowerPAK® y PowerPAIR®
  • PAD Pattern — PADs mínimos recomendados para PowerPAK® SO-8 Single
  • Nota de aplicación AN821 — montaje y consideraciones térmicas para PowerPAK® SO-8
  • Información de carrete — datos de embalaje en carrete (reel)
  • Información de cinta — especificaciones de cinta para PowerPAK® SOIC-8
  • Información de paquete — dibujos y detalles para PowerPAK® SO-8 (Simple/Dual)
  • Fiabilidad del paquete — datos de ensayos ambientales y de paquete para el proceso de soldadura PowerPAK® SO-8
  • Fiabilidad del producto — datos de fiabilidad del proceso 530MC SG
  • Guía de selección — MOSFETs para soluciones de alimentación de servidores AI


Notas adicionales
  • Modelos ECAD disponibles para descarga (Ultra Librarian)
  • Enlaces Comprar / Solicitar muestra disponibles en la página de producto


Especificaciones
  • Modelo: SIR5402DP
  • Tipo de dispositivo: MOSFET de canal N
  • Tensión drenador-fuente (VDS): 40 V (D-S)
  • Tecnología/proceso: TrenchFET® Gen IV (nivel estándar)
  • Aspectos de diseño: High Vth para reducir ruido; relación Qgd / Qgs optimizada
  • Opciones de encapsulado: PowerPAK® SO-8 y múltiples variantes PowerPAK® / PowerPAIR® (ver documentación)
  • Documentación típica: ficha técnica, marcado, recomendaciones PAD/landpattern, nota de montaje/termal, información de carrete/cinta, dibujos de paquete, datos de fiabilidad, guía de selección
  • Referencia de página de producto Vishay: 61684

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