MOSFET no especificado SIR5402DP

Resumen
MOSFET de canal N 40 V (D-S) en tecnología TrenchFET® Gen IV diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia y convertidores/inversores.

Características principales

• TrenchFET® Gen IV nivel estándar
• Diseño High Vth para reducir ruido y mejorar la estabilidad de la puerta
• Relación Qgd / Qgs optimizada para conmutación eficiente

Documentación

• Ficha técnica — MOSFET de canal N 40 V (D-S) (SIR5402DP)
• Información de marcado — detalles de marcado para variantes PowerPAK® y PowerPAIR®
• PAD Pattern — PADs mínimos recomendados para PowerPAK® SO-8 Single
• Nota de aplicación AN821 — montaje y consideraciones térmicas para PowerPAK® SO-8
• Información de carrete — datos de embalaje en carrete (reel)
• Información de cinta — especificaciones de cinta para PowerPAK® SOIC-8
• Información de paquete — dibujos y detalles para PowerPAK® SO-8 (Simple/Dual)
• Fiabilidad del paquete — datos de ensayos ambientales y de paquete para el proceso de soldadura PowerPAK® SO-8
• Fiabilidad del producto — datos de fiabilidad del proceso 530MC SG
• Guía de selección — MOSFETs para soluciones de alimentación de servidores AI

Notas adicionales

• Modelos ECAD disponibles para descarga (Ultra Librarian)
• Enlaces Comprar / Solicitar muestra disponibles en la página de producto

Especificaciones

• Modelo: SIR5402DP
• Tipo de dispositivo: MOSFET de canal N
• Tensión drenador-fuente (VDS): 40 V (D-S)
• Tecnología/proceso: TrenchFET® Gen IV (nivel estándar)
• Aspectos de diseño: High Vth para reducir ruido; relación Qgd / Qgs optimizada
• Opciones de encapsulado: PowerPAK® SO-8 y múltiples variantes PowerPAK® / PowerPAIR® (ver documentación)
• Documentación típica: ficha técnica, marcado, recomendaciones PAD/landpattern, nota de montaje/termal, información de carrete/cinta, dibujos de paquete, datos de fiabilidad, guía de selección
• Referencia de página de producto Vishay: 61684