Fototransistor IGBT

de conmutaciónde siliciode GaAs

DESCRIPCIÓN La serie VOS618A tiene un diodo emisor infrarrojo de GaAs que está ópticamente acoplado a un plano de silicio fototransistor, y está incorporado en un detector de 4 pines Paquete miniplano de 50 milímetros de paso de plomo. Se caracteriza por una alta relación de transferencia de corriente con una baja corriente de entrada, baja capacitancia de acoplamiento y alto voltaje de aislamiento. Los dispositivos de acoplamiento están diseñados para la transmisión de señales entre dos circuitos separados eléctricamente. CARACTERÍSTICAS - Alto CTR con baja corriente de entrada - Paquete de bajo perfil (paso medio) - Alto voltaje del colector emisor, VCEO = 80 V - Tensión de prueba de aislamiento = 3750 VRMS - Baja capacidad de acoplamiento - Alta inmunidad transitoria en modo común APLICACIONES - Telecomunicaciones - Controles industriales - Equipo alimentado por batería - Máquinas de oficina - Autómatas programables