Fototransistor IGBT H11 seriesde conmutaciónSMDde GaAs
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de conmutación
- Otras características
- de silicio, SMD, de GaAs
- Corriente
50,5 A, 60 A, 75 A
- Tensión
Máx.: 300 V
Mín.: 32 V
Descripción
Optoacoplador, salida de fototransistor, con conexión de base, alta tensión BVCEO
CARACTERÍSTICAS
Muy alta tensión de ruptura del colector emisor BVCEO
Tensión de prueba de aislamiento: 5000 VRMS
Baja capacitancia de acoplamiento
APLICACIONES
Telecomunicaciones
Controles industriales
Equipos alimentados por batería
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