Transistores de efecto de campo

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transistor MOSFET
transistor MOSFET

... Características Chip de silicio en Direct-Copper-Bond sustrato - alta disipación de energía - superficie de montaje aislada - Aislamiento eléctrico de 2500 V - baja capacitancia de drenaje a tabulación (< 40 pF) Rápido CoolMOS™ 1) potencia ...

transistor MOSFET
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HS8K11

Tensión: 30 V
Corriente: 0 A - 44 A

... HS8K11 es un MOSFET estándar para aplicaciones de conmutación Características - Baja resistencia al encendido. - Revestimiento de plomo sin plomo; conforme a RoHS. - Libre de halógenos. Especificaciones Código de paquete: HSML303030L10 Número ...

transistor MOSFET
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IPD900P06NM

... MOSFETs de canal P en nivel normal y lógico, reduciendo la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia Descripción OptiMOS™ Los MOSFETs de canal P de 60V en el paquete DPAK representan la nueva tecnología destinada ...

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Infineon Technologies - Sensors
transistor MOSFET
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VND series

... ST ofrece una amplia gama de interruptores inteligentes de 3 y 5 patillas de bajo perfil (OMNIFET) basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...

transistor MOSFET
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700 V | TOPSwitch-HX

Tensión: 110, 265 V

... integrado para un mínimo esfuerzo de arranque La fuga extendida entre DRAIN y todos los otros pines mejora la confiabilidad en el campo ...

transistor NPN
transistor NPN
CMKT3920

Tensión: 50 V

... DESCRIPCIÓN: El semiconductor central CMKT3920 (dos transistores NPN simples) es una combinación dual en un espacio ahorrando el paquete SOT-363 ULTRAmini™, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de ...

transistor FET
transistor FET
CMPFJ175

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal P moldeados con epoxi fabricado en un estuche SOT-23, diseñado para aplicaciones de amplificación de bajo nivel. CÓDIGOS DE MARCADO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...

transistor FET
transistor FET
CMPFJ176

Tensión: 30 V

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal P moldeados con epoxi fabricado en un estuche SOT-23, diseñado para aplicaciones de amplificación de bajo nivel. CÓDIGOS DE MARCADO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...

transistor FET
transistor FET

... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...

transistor bipolar
transistor bipolar
DMB series

Tensión: 20, 50 V

... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...

transistor FET
transistor FET
ATF-33143

... Presenta PHEMT de ultra bajo nivel de ruido. El proceso está optimizado para ofrecer una cifra de ruido muy baja para estaciones base celulares/PCS críticas y otras aplicaciones de RF inalámbricas, alta consistencia de parte a parte y ...

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Broadcom