Transistores de efecto de campo

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transistor MOSFET / de potencia
transistor MOSFET

... Características Chip de silicio en Direct-Copper-Bond sustrato - alta disipación de energía - superficie de montaje aislada - Aislamiento eléctrico de 2500 V - baja capacitancia de drenaje a tabulación (< 40 pF) Rápido CoolMOS™ 1) potencia ...

transistor MOSFET / de potencia / de silicio
transistor MOSFET
HS8K11

Tensión: 30 V
Corriente: 0 A - 44 A

... HS8K11 es un MOSFET estándar para aplicaciones de conmutación Características - Baja resistencia al encendido. - Revestimiento de plomo sin plomo; conforme a RoHS. - Libre de halógenos. Especificaciones Código de paquete: HSML303030L10 Número ...

transistor NPN / MOSFET / para señales pequeñas / doble
transistor NPN
CMKT3920

Tensión: 60, 50, 7 V
Corriente: 200 mA

... DESCRIPCIÓN: El semiconductor central CMKT3920 (2 unidades de Transistores NPN) es una combinación dual en un espacio sOT-363 ULTRAmini™ paquete de ahorro, diseñado para pequeña señal amplificador de uso general y conmutación aplicaciones. CÓDIGO ...

transistor FET / de silicio
transistor FET
CMPFJ175

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal en P moldeados con epoxi fabricado en un maletín SOT-23, diseñado para las aplicaciones de amplificadores de nivel. CÓDIGOS DE MARCADO: CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...

transistor FET / de silicio
transistor FET
CMPFJ176

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal en P moldeados con epoxi fabricado en un maletín SOT-23, diseñado para las aplicaciones de amplificadores de nivel. CÓDIGOS DE MARCADO: CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...

transistor MOSFET / de potencia / de conmutación / de avalancha
transistor MOSFET
IPD900P06NM

... MOSFETs de canal P en nivel normal y lógico, reduciendo la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia Descripción OptiMOS™ Los MOSFETs de canal P de 60V en el paquete DPAK representan la nueva tecnología destinada ...

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Infineon Technologies - Sensors
transistor MOSFET / de potencia / para las técnicas automóviles
transistor MOSFET
VND series

... ST ofrece una amplia gama de interruptores inteligentes de 3 y 5 patillas de bajo perfil (OMNIFET) basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...

transistor HEMT / de potencia / de GaAs
transistor HEMT
TGF2018

Tensión: 8 V
Corriente: 29 mA

... Características principales Rango de frecuencia: DC - 20 GHz 22 dBm Potencia de salida típica - P1dB 14 dB Ganancia típica @ 12 GHz 55% PAE Típico a 12 GHz 1.0 dB NF típica @12 GHz No Vias Tecnología: 0.25 um GaAs pHEMT El TGF2018 de ...

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Triquint Semiconductor
transistor FET / de efecto de campo / de potencia / silencioso
transistor FET

... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...

transistor FET / RF / de GaAs / silencioso
transistor FET
ATF-33143

... Presenta PHEMT de ultra bajo nivel de ruido. El proceso está optimizado para ofrecer una cifra de ruido muy baja para estaciones base celulares/PCS críticas y otras aplicaciones de RF inalámbricas, alta consistencia de parte a parte y ...

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Broadcom
transistor MOSFET / de potencia / RF
transistor MOSFET
HCT7000MTX series

Tensión: 60, 90 V

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Optek electronics
transistor bipolar / MOSFET / de conmutación
transistor bipolar
DMB series

Tensión: 20, 50 V

... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...

transistor MOSFET / de potencia
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tensión: 110, 265 V

... integrado para un mínimo esfuerzo de arranque La fuga extendida entre DRAIN y todos los otros pines mejora la confiabilidad en el campo ...