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Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de ...
Infineon Technologies AG
... Enchufe Dvice de Alta Corriente Alta temperatura ℃ 5.paso de 45 mm Ángulo recto Baja emisión de gases Se trata de un zócalo que puede corresponder a la disposición de placas de circuito impreso con restricciones de altura girando el ...
Tensión: 110, 265 V
... integrado para un mínimo esfuerzo de arranque La fuga extendida entre DRAIN y todos los otros pines mejora la confiabilidad en el campo ...
... Presenta PHEMT de ultra bajo nivel de ruido. El proceso está optimizado para ofrecer una cifra de ruido muy baja para estaciones base celulares/PCS críticas y otras aplicaciones de RF inalámbricas, alta consistencia de parte a parte y ...
Broadcom
Corriente: 95 A
Tensión: 40 V
... El RH6G040BG es un MOSFET de potencia con baja resistencia de conexión y un paquete de alta potencia, adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Paquete de molde pequeño de alta potencia (HSMT8) Revestimiento sin Pb; ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V
... ST ofrece una amplia gama de conmutadores inteligentes de 3 y 5 patillas (OMNIFET) para automoción basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...
Tensión: -400 V - 1.000 V
... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y PowerPAK® térmicamente ...
Tensión: 50 V
... DESCRIPCIÓN: El semiconductor central CMKT3920 (dos transistores NPN simples) es una combinación dual en un espacio ahorrando el paquete SOT-363 ULTRAmini™, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de ...
Central Semiconductor
... Los HEMT de GaN, los FET de GaA, los MMIC y las soluciones HEMT de bajo ruido ofrecen un alto rendimiento y una fiabilidad sin concesiones para aplicaciones de radar, estaciones base, SATCOM, punto a punto y espaciales. ...
... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...
Corriente: 2 A
Tensión: 36 V
... Con este MOSFET se puede controlar una tensión de hasta 36 voltios. Con la modulación de la anchura de los impulsos, se puede reducir la tensión media cuadrática (por ejemplo, para atenuar una luz LED). COMPATIBLE CON Arduino, Raspberry ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...
Corriente: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Tensión: 60 V
... Aplicaciones típicas Procesamiento de señales lógico, controladores Calidad comercial Sufijo -Q: Conforme a AEC-Q101*) Sufijo -AQ: en cualificación AEC-Q101*) Características Tiempos de conmutación rápidos Conforme a RoHS, REACH, Minerales ...
Diotec
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