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... RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones 1. Supervisión de la potencia del láser de la cara posterior. 2. Comunicaciones ópticas digitales FTTH. 3. Interconexión óptica. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... a 1620nm.Applied para supervisar la salida de poder óptica de la faceta posterior de las diversas comunicaciones ópticas digitales de LD, de FTTH y de la interconexión óptica. 1. NPN almohadilla de unión en la parte superior. 2. Área ...
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... personalizadas disponibles. Aplicaciones 1. Supervisión de la potencia del láser de la cara posterior. 2. Comunicaciones ópticas digitales FTTH. 3. Interconexión óptica. ...
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... RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones 1. Supervisión de la potencia del láser de la cara posterior. 2. Comunicaciones ópticas digitales FTTH. 3. Interconexión óptica. ...
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... Este chip fotodiodo 3.1Gbps es InGaAs/InP PIN estructura planar y chip fotodiodo digital top-iluminado, tamaño de área activa es Φ60μm. Se caracteriza por su baja corriente oscura, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta y excelente ...
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... Este chip fotodiodo 2.5Gbps es InGaAs/InP PIN estructura planar y chip fotodiodo digital top-iluminado, tamaño de área activa es Φ70μm. Se caracteriza por su baja corriente oscura, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta y excelente ...
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... Este chip fotodiodo 3GHz es una estructura plana InGaAs/InP PIN y un chip PD digital/analógico de 3GHz de alta respuesta iluminado por la parte superior, el tamaño del área activa es de Φ70μm. Sus características son baja corriente oscura, ...
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... Este chip de fotodiodo de 2,5 Gbps tiene una estructura plana PIN de InGaAs/InP y un chip de DP digital/analógico de alta capacidad de respuesta e iluminación superior, con un área activa de Φ70μm. Se caracteriza por su baja corriente ...
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... El chip fotodiodo de 2,5 Gbps tiene una estructura PIN planar InGaAs/InP y un chip PD digital/analógico con iluminación superior, el tamaño del área activa es de Φ70μm. Se caracteriza por su baja corriente oscura, baja capacitancia, alta ...
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