- Metrología - Laboratorio
- Componente Optico
- Fotodiodo InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodo InGaAs XSJ-10-D4-60PIN
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Características
- Especificaciones
- InGaAs
- Montaje
- PIN
Descripción
Descripción
Este chip de fotodiodo de 3,1Gbps es una estructura planar InGaAs/InP PIN y un chip de fotodiodo digital iluminado por la parte superior, el tamaño del área activa es de Φ60μm. Sus características son: baja corriente oscura, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta y excelente fiabilidad. Aplicación en receptores ópticos de 3,1 Gbps e inferiores y EPON ONU.
Características
Φ60μm de área activa.
Alta responsabilidad.
Baja corriente oscura.
Gran ancho de banda.
Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
pruebas e inspecciones al 100%.
Aplicaciones
≤Receptor digital de 3,1 Gbps.
EPON ONU.
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